力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發言人譚仲民(Eric Tang)周三表示,公司將今年的資本支出目標定為新臺幣110億元。
譚仲民稱,其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產技術從65納米技術升級到40納米技術。 今年1月初,力晶半導體曾表示,將于2010年下半年開始對40納米制程進行測試。 譚仲民稱,由于現金充裕,公司目前沒有融資計劃。他稱,力晶半導體2009年的資本支出規模“很小”。但他拒絕透露具體數據
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力晶 DRAM
據臺灣《經濟日報》報道,臺系內存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內存芯片廠的計劃,報道稱力晶公司計劃向這間新廠房投資2.93億美元,并 將與當地政府部門和大陸當地企業合作經營這間芯片廠。
與臺積電以及茂德公司類似,力晶公司目前已經獲得了臺灣當局的許可,可以在大陸地區建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠,不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實際行動。
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力晶 內存芯片
臺灣力晶半導體表示,經過連續十個季度的虧損后,受需求反彈和芯片價格穩步上漲的推動,第四財政季度公司實現凈利潤。
力晶半導體在其網站上發布公告稱,已有大量現金流入公司,這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。
力晶半導體稱,公司將通過增加DDR3芯片發貨量鞏固凈利潤成果。公司預計,到3月份DDR3芯片發貨量占其總發貨量的比重將達到75%。
分析師們表示,DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比,DDR3的處理速度更快,
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力晶 DDR3
據國外媒體報道,臺灣力晶半導體近日表示,經過連續十個季度的虧損后,受需求反彈和芯片價格穩步上漲的推動,第四財政季度公司實現凈利潤。
力晶半導體在其網站上發布公告稱,已有大量現金流入公司,這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。
力晶半導體稱,公司將通過增加DDR3芯片發貨量鞏固凈利潤成果。公司預計,到3月份DDR3芯片發貨量占其總發貨量的比重將達到75%。
分析師們表示,DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比,DD
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力晶 內存芯片 DDR3
12月23日消息,據國外媒體報道,臺灣力晶半導體股份有限公司管理人士周三表示,公司董事會批準了從日本合作伙伴爾必達手中收購合資企業瑞晶電子股份有限公司股份的計劃。
這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露,該計劃的細節,如力晶將收購的股份數以及收購價格等,還沒有確定。
爾必達曾于10月份表示,正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當月,為了與全球最大的動態隨機存儲器(DRAM)韓國三星電子展開競爭,爾必達曾將其在瑞晶電子的股權比例由52%增加至64%。
DRAM
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力晶 DRAM
臺灣半導體生產商期望通過轉變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰,但此舉可能導致它們全盤退出核心業務。
由于芯片行業從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡,南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司(簡稱:力晶)等臺灣芯片行業的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現反彈,但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。
與此同時,韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產技術持續發展壯大。
為應對上述局面,臺資公司
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力晶 DRAM 存儲器
臺系DRAM廠開始規劃2010年資本支出,估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元,且主要支出集中在臺塑集團身上,臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來,開始擴大投資規模,然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領域資本支出至少30億美元來看,臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星,未來三星不僅將穩坐龍頭,且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。
三星是這一波DRAM產業海嘯大贏家,這波巨浪吹倒臺DRAM產業,亦讓美、日系
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力晶 DRAM 存儲器
臺系DRAM廠為抓準DRAM價格復蘇的時間點,開始大量增加投片量,其中力晶增產的幅度將居冠,傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增 30~40%,力晶11月出貨量大幅成長,也將反映在11月營收上,出現大幅度成長;再者,除了DDR2芯片外,力晶也開始增加DDR3芯片產出,臺廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。
臺廠2008年底開始進入長達3季的減產,隨著DRAM價格在奇夢達(Qimonda)退出市場后,由供過于求逐漸走向供給平衡,因此緩步開始增產,尤其在營運開始產生現金流入后,增產的速度加快,現
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力晶 DRAM
力晶在DRAM價格強勁回文件下,將恢復財務自主能力,力晶董事會2日通過,從明年開始停止紓困,全力正常恢復營運,可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預期,今年第四季將有機會轉虧為盈。
力晶昨日領先各大DRAM廠,率先公布10月營收,由于產能滿載,加上DRAM價格回文件,該公司10月營收達42.39億元(新臺幣,以下同)、較9月大增28%,創下今年以來新高,預估11月、12月營收將會維持持續成長的動能。
力晶指出,在政府政策與銀行團大力支持之下,透過
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力晶 DRAM 封測
受惠DRAM價格谷底翻身,臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小,合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元,累計前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價格持續走強越過2.5美元后,頗有朝3美元的實力,各廠全產能投片后,可望力拼單月損益兩平,其中力晶旗下瑞晶第3季已轉虧為盈,力晶董事長黃崇仁也表示,若報價維持在2.5美元水平,第4季也有機會擠身獲利之林。
DRAM 產業在2008年此時受到供過于求嚴重失衡的影響,虧損嚴重到一度將存儲器
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力晶 DRAM 晶圓
力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息,對內存產業無疑是一枚深水炸彈,不論就技術自主、產能整合和產業創新等條件上,TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產物,從條件論而言,“經濟部"很難直接拒絕TFC計劃,尤其是現在臺灣創新內存(TIMC)的技術來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后,傳出不讓臺灣地區政府投資的謠言不絕于耳,力晶在此時拿出TFC計劃,就算不能獲得政府補助,也達到破壞TIMC的目的,臺灣內存產業整合大戲未來要如何演下去,在各廠底
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力晶 DRAM 內存
“經濟部”「DRAM產業再造計畫」20日最后截止日期,卻出現戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件,形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并將這次臺灣存儲器產業整合規模推升到NAND Flash格局,反將了臺灣創新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示,2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash,且100%為自有技術,比任何同業都符合“經濟部”所要求技術扎根條件,未來力晶
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力晶 DRAM 存儲器 NAND
力晶半導體股份有限公司已遞交政府投資申請。
據境外媒體報道,力晶半導體公共關系部門一位拒絕透露姓名的管理人士稱,公司于周二下午遞交了尋求政府投資的申請。臺灣政府將周二設定為各公司提交申請的截止日期。
該管理人士拒絕透露其他細節。
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力晶 半導體
DRAM價格漲不停,1Gb容量DDR2價格直逼2美元,苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現金正流入的狀態,包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產部分也開始有現金流入,但采購自華亞科的部分,受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式,因此部分還是現金流出,但以整個臺塑集團的DRAM事業來看,已進入現金正流入狀態,下一步臺系DRAM業者的目標是轉虧為盈。
4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元,眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
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力晶 DRAM DDR2
據臺灣媒體報道,臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠,此舉將導致茂德、力晶等內存芯片公司向旺宏賣廠求現的美夢破碎,恐促使DRAM(動態隨機存儲器)廠雪上加霜。
旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內存芯片廠,積極擴廠后,更將坐穩獲利龍頭寶座。
旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃,已向臺灣當局遞交文件,申請進駐中科后里園區。第一期建廠預計年底前動工,2011年初投產,兩座新廠規劃產能約8萬片,并導入60納米以下最新技術。
為配合旺宏建廠計
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力晶介紹
力晶于八十三年十二月創立于新竹科學園區,業務范圍涵蓋動記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺灣正式掛牌上柜。八十八年發行全球存托憑證,成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底,力晶擁有六千一百位員工,資本額達新臺幣七百八十二億元,年度營收為新臺幣七百七十五億元。
為提升國際競爭力及科技實力,力晶在設立之初即和日本三菱電機締結技術、生產與銷售的策略聯盟; [
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