擊穿文章進(jìn)入擊穿技術(shù)社區(qū)

高壓電解電容波峰焊放電擊穿板上芯片的機(jī)理研究及對(duì)策

王大波，施清清，李會(huì)超，宗? 巖（珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業(yè)的難題，失效機(jī)理復(fù)雜，對(duì)于因生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境造成的過(guò)電、靜電失效，環(huán) 節(jié)無(wú)法鎖定。通過(guò)對(duì)高壓電解電容帶電插裝對(duì)印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過(guò)波峰焊時(shí)錫面連錫短路導(dǎo)致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機(jī)理，并制定管控對(duì)策，有效降低芯片失效不良。?關(guān)鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA0? 引言?隨著電子技術(shù)的發(fā)展，小型化、集成化的芯片被應(yīng) 用
關(guān)鍵字： 202003 芯片失效高壓電解電容擊穿波峰焊 PCBA

LED電源設(shè)計(jì)實(shí)用經(jīng)驗(yàn)問(wèn)答分享

在LED電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過(guò)程中，工程師們需要處理的絕不僅僅是電路設(shè)計(jì)問(wèn)題，更多的是LED電源的驅(qū)動(dòng)方案選擇、LED的壽命維系以及后期的維護(hù)和檢修工作等。
關(guān)鍵字： LED 電源設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng) 擊穿

電子器件在工廠車(chē)間生產(chǎn)過(guò)程中的防靜電問(wèn)題分析與研究　

文章主要介紹了靜電在制造業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的原因，造成的危害，以及防治的方法。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體防靜電擊穿靜電損傷防護(hù) 201609

【E問(wèn)E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。　　靜電放電形成
關(guān)鍵字： MOS 擊穿

教你如何測(cè)量判斷電容之擊穿、漏電和失去容量

用萬(wàn)用表判斷電容器質(zhì)量視電解電容器容量大小，通常選用萬(wàn)用表的R×10、R×100、R×1K擋進(jìn)行測(cè)試判斷。...
關(guān)鍵字：電容擊穿漏電失去容量

分析LED被靜電擊穿的現(xiàn)象及原理

LED內(nèi)部的PN結(jié)在應(yīng)用到電子產(chǎn)品的制造、組裝篩選、測(cè)試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及安裝使用等環(huán)節(jié)，難免不受靜電感應(yīng)影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。若電荷得不到及時(shí)釋放，將在兩個(gè)電極上形成的較高電位差，當(dāng)電荷能量達(dá)到LED的承受極限值
關(guān)鍵字： LED 分析靜電擊穿

MOS管擊穿的原因及解決方案

MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外...
關(guān)鍵字： MOS管擊穿解決方案

開(kāi)關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

中心議題：功率晶體管二次擊穿的原因避免功率晶體管二次擊穿的措施開(kāi)關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案：耗能式關(guān)斷緩沖電路耗能式開(kāi)通緩沖電路無(wú)源回饋關(guān)斷緩沖電路無(wú)源回饋開(kāi)通緩沖電
關(guān)鍵字：防護(hù) 擊穿晶體管功率開(kāi)關(guān)電源

功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
關(guān)鍵字：問(wèn)題分析擊穿雪崩 MOSFET 功率

為功率MOSFET增加自動(dòng)防故障擊穿保護(hù)

MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。通過(guò)HSVGS監(jiān)測(cè)器來(lái)檢測(cè)HSFET的開(kāi)啟狀態(tài)，所以HS_IS_...
關(guān)鍵字：擊穿功率MOSFET 傳播延遲監(jiān)測(cè)電路電流源低通濾波器 HS_ON LS_EN 故障驅(qū)動(dòng)器

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擊穿介紹

擊穿---絕緣物質(zhì)在電場(chǎng)的作用下發(fā)生劇烈放電或?qū)щ姷默F(xiàn)象叫擊穿。例如，平常我們使用的驗(yàn)電筆中的氖管發(fā)光，就是氖管兩端的電壓超過(guò)70V而被擊穿。電容器的結(jié)構(gòu)特性與作用　　1．電容器的結(jié)構(gòu)特性電容器是由兩個(gè)相互靠近的金屬電極板，中間夾一層絕緣介質(zhì)構(gòu)成的。在電容器的兩個(gè)電極加上電壓時(shí)，電容器就能儲(chǔ)存電能。　　1．電容器　　(1)電容器：兩塊相互靠近又彼此絕緣的導(dǎo)體組成電容器．電容 [ 查看詳細(xì) ]