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SiC市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，本文將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。然而，開關(guān)模式在應(yīng)用中通常需要常關(guān)狀態(tài)。因此，將SiC JFET與低電壓硅M
關(guān)鍵字： SiC 共源共柵 cascode 安森美

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其
關(guān)鍵字：安森美碳化硅共源共柵 cascode

和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來(lái)新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動(dòng)汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
關(guān)鍵字： 202207 東芝共源共柵 GaN

摘要：針對(duì)傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高，基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問(wèn)題，通過(guò)增加啟動(dòng)電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計(jì)了一種高精度、低溫漂、與電源無(wú)關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
關(guān)鍵字：帶隙基準(zhǔn)電壓源溫度系數(shù) 共源共柵 CMOS

隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，高性能運(yùn)算放大器廣泛應(yīng)用于高速模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器（DAC）、開關(guān)電容濾波 ...
關(guān)鍵字：折疊共源共柵運(yùn)算放大器

本文設(shè)計(jì)了一種采用增益增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器，可用于流水線結(jié)構(gòu)的A/ ...
關(guān)鍵字：增益增強(qiáng) 共源共柵放大器

摘要：基于CSMC0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，采用復(fù)用型折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)一種折疊式共源共柵運(yùn)算放大器。該電路在5V電源電壓下驅(qū)動(dòng)5pF負(fù)載電容，采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對(duì)電路進(jìn)行仿真。結(jié)果表明，
關(guān)鍵字：性能共源共柵放大器設(shè)計(jì) 運(yùn)算

摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
關(guān)鍵字： CMOS 共源共柵功率放大器方案

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