首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 全新半導體

        全新半導體 文章 進入全新半導體技術社區

        支持功率因數校正和反激拓撲的新型950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件

        • 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求:用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業SMPS應用。這種全新半導體解決方案能實現出色的散熱性能及能源效率,減少用料并降低總生產成本
        • 關鍵字: 950 V CoolMOS P7  超結MOSFET器件  全新半導體  
        共1條 1/1 1

        全新半導體介紹

        您好,目前還沒有人創建詞條全新半導體!
        歡迎您創建該詞條,闡述對全新半導體的理解,并與今后在此搜索全新半導體的朋友們分享。    創建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 城市| 出国| 甘孜县| 定安县| 卢氏县| 望江县| 买车| 兴安县| 黄浦区| 常州市| 海晏县| 岫岩| 河源市| 冀州市| 长泰县| 沐川县| 海晏县| 江城| 沁源县| 慈溪市| 广德县| 东山县| 杭锦旗| 松溪县| 廊坊市| 南开区| 深水埗区| 从江县| 广安市| 凤台县| 太保市| 乌鲁木齐市| 塔城市| 苏尼特左旗| 济阳县| 荔波县| 大冶市| 马山县| 肃宁县| 五原县| 商丘市|