支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

2018年8月27日，德國慕尼黑訊——更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴(yán)格的設(shè)計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本。

950 VCoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導(dǎo)通電阻，能實現(xiàn)更高密度的設(shè)計。此外，出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅(qū)動和設(shè)計。與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的P7系列其他成員類似的是，該器件集成齊納二極管ESD保護機制。這可以提高裝配生產(chǎn)量，從而降低成本，并減少與ESD有關(guān)的生產(chǎn)問題。

950 VCoolMOS P7能使效率提升達1%，并且MOSFET溫度得以降低2 ?C到10 ?C，實現(xiàn)更高能效的設(shè)計。相比前幾代CoolMOS系列而言，該器件還將開關(guān)損耗降低達58%。較之市場上的競爭技術(shù)，這方面的性能提升超過50%。

950 VCoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件（THD）變?yōu)楸砻尜N裝器件（SMD）。

關(guān)于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產(chǎn)品和解決方案將帶您通往美好的未來。2017財年（截止9月30日），公司的銷售額達71億歐元，在全球范圍內(nèi)擁有約37,500名員工。英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長，在中國擁有約2000名員工，已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。