- 第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。圖片來源：信越化學從氮化鎵生產上看，盡管GaN器件制造商可以使用現有的Si生產線來生產GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實現大直徑的高質量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
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信越化學 氮化鎵 外延生長
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學 6 月 12 日宣布開發出新型半導體后端制造設備，可直接在封裝基板上構建符合 2.5D 先進封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產成本的同時也縮短了先進封裝流程。▲ 2.5D 集成結構對比信越表示，該新型后端設備采用準分子激光器蝕刻布線，無需光刻工藝就能批量形成大面積的復雜電路圖案，達到了傳統制造路線無法企及的精細度。結合信越化學開發的光
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信越化學 HBM 先進封裝
- 日本最大化學公司信越化學株式會社將在越南投建兩個工廠，分別生產高亮度LED燈用的硅基材料和高純稀土材料，總投資50億日元，約合6400萬美元。
根據信越化學公告，公司將投資20 億日元，在越南海防市的庭武工業園區建立一個占地80000平方米的稀土分離和精煉廠。于2013年2月投入生產,預計年處理稀土礦1000噸，越南新工廠被認為可緩解該公司對中國稀土的依賴。
同時，信越電子材料越南有限公司將在越南北部興安省的工業園區興建占地50000平方米的工廠，生產高亮度LED燈用的硅基材料，總投資30
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信越化學 LED
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