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英偉達(dá)和英飛凌將建立人工智能數(shù)據(jù)中心功率芯片的新架構(gòu)
- 英偉達(dá)和英飛凌正在合作,為 AI 數(shù)據(jù)中心的電源芯片建立新的架構(gòu)。其目的是專注于為使用集中式 HVDC 配電的電力系統(tǒng)創(chuàng)建一個新架構(gòu),特別是在 800V 下。目前,AI 數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng)是分散的。這意味著 AI 芯片由大量 PSU 供電。新架構(gòu)將是集中式的,以最佳方式利用服務(wù)器機(jī)架中的有限空間。大多數(shù)數(shù)據(jù)中心以交流電的形式分配電力,然后由服務(wù)器內(nèi)部的單個 PSU 轉(zhuǎn)換為直流電。這個過程會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換和分配過程中的大量能量損失。新方法是直接為服務(wù)器機(jī)架供電,并僅在使用點(AI 芯片/GPU)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。這減少了
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電力電子中的“摩爾定律”(1)
- 作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上??萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過一定時間就會性能翻倍,成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾 (Gordon Moore) 在《電子器件會議記錄》中提出,集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個月會 翻倍 ,同時成本也會相應(yīng) 下降一半 ,這就是著名的 “摩爾定律” 。雖然最初是關(guān)于晶體管數(shù)量和成本的
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英飛凌二氧化碳減排目標(biāo)獲科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織認(rèn)證
- ●? ?英飛凌的范圍1和范圍2目標(biāo)達(dá)到SBTi對近期減排目標(biāo)的最高標(biāo)準(zhǔn)●? ?英飛凌通過制定有力的范圍3目標(biāo)進(jìn)一步減少供應(yīng)鏈排放量●? ?英飛凌通過與100多家供應(yīng)商積極合作,進(jìn)一步減排英飛凌科技管理委員會成員兼首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展官Elke Reichart全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近期在低碳化方面取得新進(jìn)展:其溫室氣體減排目標(biāo)獲得科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織(SBTi)的認(rèn)證。獲批的目標(biāo)包括公司自身的排放量(范圍&n
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能,助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破
- 在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下,充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日,英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP??IGBT,?CoolSiC??MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術(shù)升級,顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性,為充電
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英飛凌啟動公司25周年傳播項目
- 為慶祝公司25周年,英飛凌科技股份公司近日啟動了一項全球整合傳播活動,旨在彰顯半導(dǎo)體技術(shù)的經(jīng)濟(jì)和社會價值,以及英飛凌在推動低碳化和數(shù)字化方面做出的貢獻(xiàn)。這場傳播活動的核心主旨是:英飛凌的產(chǎn)品和解決方案對我們每個人的日常生活都至關(guān)重要。活動內(nèi)容將圍繞“Matters to me”這一主題展開一系列的情感講述。英飛凌25周年“Matters to me”品牌標(biāo)識英飛凌科技管理委員會成員兼首席營銷官Andreas Urschitz表示:“2000年3月13日,英飛凌上市,為我們成為全球領(lǐng)先的科技企業(yè)邁出了關(guān)鍵勇
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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)
- 隨著圖形處理器(GPU)的性能日益強(qiáng)大,對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓,這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司近日宣布,其采用緊湊型5x6 mm2?雙面散熱(DSC)封裝的OptiMOS??6 80V?功率?MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的?IBC級。應(yīng)用測試表明,其效率較之前使用的解決方案提高約?0.4%,相當(dāng)于每kW負(fù)載節(jié)
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英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案
- 這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。 例如提高效率和信號質(zhì)量,并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關(guān)于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息,目標(biāo)讀者是經(jīng)驗豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
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英飛凌推出用于高壓應(yīng)用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊,進(jìn)一步擴(kuò)大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合

- 隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù),預(yù)計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊,進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺,專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求,提供更大的易用性,幫助客戶加快設(shè)計進(jìn)程,縮短產(chǎn)品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議:聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活
- 近期,英飛凌科技與美的集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過深度整合各自優(yōu)勢資源,雙方將在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作,共同為消費者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務(wù)。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝, 美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝(圖右)與美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林(圖左)長期以來,英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作,技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級,合作領(lǐng)域不斷拓展,從最初聚
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EMC與成本雙優(yōu)解 車載燈光域控制器集成方案落地
- TLD7002-16ES網(wǎng)關(guān)應(yīng)用示例在現(xiàn)代汽車中,眾多電子控制單元(ECU)負(fù)責(zé)控制各種功能,如發(fā)動機(jī)管理、傳動控制、制動系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個ECU通常都配備有自己的MCU,這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此,前后左右的車燈通常都有各自獨立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個像素,或者燈是由多塊分散的印刷電路板(PCB)組成時,以市場現(xiàn)存大量量產(chǎn)的LED驅(qū)動解決方案而言,每個燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉(zhuǎn)發(fā)點來提升系統(tǒng)的可靠性,通訊速度以及電磁兼容(EMC)性能。本文
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英飛凌重返SiC JFET,實現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電
- Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率,而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ (750 V BDss) 和 2.3 mΩ (1200 V BDss) 的超低 R DS(ON),可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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功率器件新突破!氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)
- 氮化鎵(GaN)單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件(如MOSFET或IGBT)僅支持單向主動導(dǎo)通,反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力,更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo),工程師常采用背對背(B2B)拓?fù)浼壜?lián)兩個器件,卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。由于有效的州電阻(RDSON)加倍,因此需要這些設(shè)備的平行組,以使返回到使用單向開關(guān)獲得的值??梢詧?zhí)行此類四季度操作的單片設(shè)備可以通過用單個設(shè)備替換四個活
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英飛凌發(fā)布2025財年第二季運營成果
- ●? ?2025財年第二季度:營收為?35.91?億歐元,利潤為6.01?億歐元,利潤率16.7%●? ?2025財年第三季度展望:假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125,預(yù)計營收將達(dá)到?37?億歐元。在此基礎(chǔ)上,利潤率預(yù)計為14%~16%左右●? ?2025財年展望:假設(shè)歐元兌美元匯率為1:1.125(之前假設(shè)為1:1.05),預(yù)計營收較上一年將略有下降。這包括了對關(guān)稅政策潛在影響的估算。調(diào)整后的毛
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關(guān)稅削減,英飛凌德累斯頓晶圓廠終獲10億歐元資金
- 英飛凌科技股份公司已獲得德國聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)部(German Federal Ministry for Economic Affairs)的最終批準(zhǔn),為其位于德累斯頓的智能發(fā)電廠提供資金。與此同時,該公司預(yù)計,由于美國對汽車征收關(guān)稅,到 2025 年銷量將減少 10%。該晶圓廠的 10 億歐元資金將推動該公司對智能功率器件生產(chǎn)的 50 億歐元投資。這是歐盟芯片法案和 IPCEI ME/CT 創(chuàng)新計劃(微電子和通信技術(shù)方面歐洲共同利益的重要項目)資助的一部分,該計劃于 2 月通過德國政府獲得批準(zhǔn)?!拔覀兊闹悄茈?/li>
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