飛兆推出30V同步降壓芯片組

   提高電流密度和開(kāi)關(guān)性能

  飛兆半導(dǎo)體公司推出同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組，其設(shè)計(jì)特別利用最新的 IMVP (英特爾移動(dòng)電壓定位) 技術(shù)規(guī)范，在筆記本電腦中優(yōu)化效率和空間。通過(guò)飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench? MOSFET技術(shù)，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會(huì)構(gòu)成一個(gè)芯片組，為同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，F(xiàn)DS6299S器件的單片電路SyncFET? 技術(shù)毋須使用外部肖特基二極管，因此能節(jié)省電路板空間和裝配成本。 


　　飛兆半導(dǎo)體計(jì)算解決方案市務(wù)經(jīng)理David Grey稱：“飛兆半導(dǎo)體PowerTrench技術(shù)支持的功能集能夠提高效率。在同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，性能通常由效率來(lái)衡量。更高的效率往往意味著芯片的溫度較低、可靠性更高，以及是改善電磁兼容性或EMI的指標(biāo)。我們的技術(shù)還減小了由直通引起的大電流尖峰的出現(xiàn)，故此減少了信號(hào)振蕩和電磁噪聲輻射

。此外，與需要外部肖特基二極管的解決方案相比，飛兆半導(dǎo)體的FDS6298/FDS6299S芯片組利用配對(duì)的集成式SyncFET?器件來(lái)減少組件數(shù)目。” 

　　這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開(kāi)關(guān)速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導(dǎo)通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設(shè)計(jì)之外，快速開(kāi)關(guān)FDS6298和低導(dǎo)通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對(duì)使用的好處，非常適合于高端通信設(shè)備等應(yīng)用中的大電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器。 

　　這些產(chǎn)品均采用無(wú)鉛SO-8封裝，能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。 

(轉(zhuǎn)自www.ednchina.com)