關于V系列F-RAM的技術說明

　　全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的最新型號，工作電壓范圍為2.0V至3.6V，采用行業標準8腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾乎無限的讀/寫次數及低功耗等特點，是工業控制、表計、醫療電子、軍事、游戲、計算機及其它應用領域的256kb 串口閃存和串口 EEPROM存儲器的兼容替代產品。

　　Ramtron 市場推廣經理Mike Peters 稱：“這兩款256kb V系列串口器件，具有相比上一代產品更低的工作電壓和更高性能，可用于替代FM24L256和 FM25L256B等舊型號器件。我們不斷擴展V系列產品線，履行Ramtron對環境的承諾，提供功效更高的非易失性存儲器產品，同時免除對電池的依賴。”

　　關于FM24V02 和FM25V02

　　FM24V02能以最高3.4 MHz的I2C總線速度執行寫入操作，并支持100 kHz 和400 kHz的傳統總線頻率。此器件無寫入延遲，而且無需進行數據輪詢即可開始下一個總線周期。此外，FM24V02提供高達100萬億 (1E14)的讀/寫次數，相比EEPROM高出幾個數量級。FM24V02在執行寫操作時不需要為寫入電路提供內部升高的電源電壓，因而功耗也遠較EEPROM低。FM24V02工作模式耗電低于150mA(通常在100kHz下)，待機模式下則為90mA，而睡眠模式耗電更低至5mA。

　　FM25V02 在40MHz SPI時鐘頻率下運作的耗電量僅為3mA，待機模式下為90mA，睡眠模式下則為5mA。FM25V02的典型運作功耗只有 38mA/MHz，較此類的串口閃存或EEPROM產品耗電降低了一個數量級。

　　兩款串口器件FM24V02和FM25V02均具有標準的只讀器件ID，可讓主機確定制造商、存儲容量和產品版本信息。它們還提供可選的獨特只讀序列號，方便確定帶有全球獨有ID的主機電路板或系統。最后，FM24V02 和 FM25V02能確保在-40℃至+85℃的溫度范圍工作，較適合工業應用。

　　關于V系列F-RAM

　　Ramtron的V系列F-RAM產品采用由Ramtron和德州儀器共同開發的先進130nm CMOS生產工藝制造，包括多種容量的I2C、SPI和字節寬度的并口存儲器。其先進的制造工藝能夠提高器件性能，并增加功能集。除了FM24V02和FM25V02之外，V系列F-RAM包括以下型號：

　　● FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM) ;

　　● FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM) ;

　　● FM24V05(512kb串口I2C F-RAM) ;

　　● FM25V05(512kb串口SPI F-RAM );

　　● FM28V100 (1Mb并口F-RAM)。