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        Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

        作者: 時間:2009-09-01 來源:電子產品世界 收藏

          世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 () 和集成半導體產品開發商及供應商 International Corporation推出并口存儲器,適合(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/97675.htm

          與nvSRAM相比,的讀寫速度更快, 工作電壓更低。 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,采用工業標準300mil寬度的32腳SOIC封裝,具有高速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數及低功耗等特點,是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲器的理想方案。

          市場拓展經理李鴻鈞稱:“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容,具有實時非易失性寫入和快速上電運作等優勢,不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持斷電時的數據存儲。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節省成本和基板空間,簡化生產,提高產品的可靠性。”

          關于FM14C88

          FM14C88 是配置為 32K x 8 的標準并口非易失性鐵電隨機存取存儲器 (),讀寫操作與標準SRAM相似,能夠在斷電后保存數據,并提供超過635年(55℃) 的數據保存能力,消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池,電容的不可靠性、高成本和設計復雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快,幾乎無限的讀寫次數 (寫入次數大約為1014次) 等特點,使其成為存儲服務器及工業自動化等應用的理想選擇。

          FM14C88 在系統內的工作方式與其它 SRAM 器件類似,可以用作標準 SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址,就可進行讀寫操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝,具有非易失性的特點,所以非常適合需要頻繁或快速寫入數據的非易失性存儲應用。FM14C88可在整個工業環境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。

          FM14C88 F-RAM器件的特性包括:

        • 無延遲 (NoDelay™) 寫入
        • 頁面模式工作頻率高達33MHz
        • 無需大型存儲電容器,不存在與電容相關的品質和成本問題
        • 即時進行非易失性寫入操作
        • 上電恢復時間為250 ms,比nvSRAM快100倍
        • 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
        • 60 ns存取時間,90 ns讀寫周期時間
        • 電源電壓2.0V – 3.6V
        • 90 mA待機電流 (典型值)
        • 7 mA工作電流 (典型值)
        • 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝

          FM14C88 并口存儲器已獲得全球著名供應商選用,其高性能、高可靠性和低成本的優勢已獲得業界公認。



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