汽車電源(07-100)

　　圖1 用P溝MOSFET的一般電壓保護電路

　　另一種方法包含1個NPN晶體管，其集電極連接到電池上，發射極連接到下游電路。連接在晶體管基極和地之間的齊納二極管箝位基極電壓，因此調整發射極電壓(VBE)低于電壓V2。盡管此電路比MOSFET電路成本低，但效率低。此外，跨接在晶體管上的壓降增加了最小工作電池電壓，此電壓在冷曲軸期間是關鍵性的。

　　第3種可能的方案包含1個N溝MOSFET，用做阻塞元件。N溝MOSFET比P溝MOSFET便宜。然而，驅動柵極的電路是比較復雜的，柵極上的電壓必須高于源極上的電壓。Maxim公司的MAX6398包含1個驅動外部N溝MOSFET的內部電荷泵(圖2)。在負載卸載期間，當VBAT高于設置限值時MOSFET完全關斷;只要VBAT保持大于設置電壓，它就一直保持關斷狀態。MAX6398控制N溝MOSFET來保護高性能電源防止來自汽車過壓。連接下游的MAX5073 2MHz兩輸出降壓變器減小了電路尺寸。保護器與低電壓/高頻電源相接合的方法與工作在顯著較低頻率的高壓變換器相比節省空間和成本。

　　圖2 N溝MOSFET開關用做阻塞器件