BiFET功放的集成功率管理為3G手機省電多達25%(08-100)

　　兩路功放的多級優化

　　ANADIGICS 的 InGaP-Plus技術， 通過允許設計師使用多條增益鏈路來設計功放，解決了功放的優化問題。這使得功放在不同功率水平可以進行獨立的優化。

　　通常意義上所說的BiFET 過程， InGaP-Plus集成了 pHEMT(pseudomorphic High Electron Mobility FET)和 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)在同一的晶片上(圖2)。

　　圖2 BiFET 工藝

　　同時高性能的射頻開關(pHEMT)共存在相同的晶體上，BiFET工藝可以用于設計多種增益鏈路的功放，并可以為每一增益鏈路進行獨立的線性度和效率優化。InGaP-Plus 使得設計師能夠獲取功放的最優性能。

　　這項技術最初稱為HELP(High Efficiency at Low Power)，設計成一個雙狀態(高功率與低功率)功放。不像單鏈路放大器，它有兩個增益狀態， InGaP-Plus功放可在內部對高功率和低功率進行優化。單一鏈路功放是不能做到的。

　　通過內部優化的HELP功放可延長手機通話時間超過25%。當然，像單一鏈路功放一樣，可搭配一個外部 DC/DC轉換器節省更多電流。但是額外電流的節省是不值得的，相比增加的費用和電路板面積。

　　在最近的進展，ANADIGICS使用了InGaP- Plus的BiFET制成設計 HELP3功放，特別推出三增益狀態，允許我們分別優化三種不同的功率等級。例如，我們可優化高功率增益(通常大約28dbm)，16dBm的中度功率增益，以及在7dBm的低功率增益(圖3)。

　　圖3 典型的使用BiFET制成的 HELP功放的靜態電流和效率曲線

　　此制成在低功率等級達到業界低于 7mA 的靜態電流，那是一個非凡的進展相比單一鏈路功放中典型的 50mA的靜態電流。

　　表1列出通過使用特殊制成的最新 ANADIGICS WCDMA 功放模塊的靜態電流和效率對比數據。

　　表 1: ANADIGICS HELP3 WCDMA功放模塊

　　物理，功能，電性能改進

　　除了在沒有使用外部 DC/DC 轉換器可以減少電流消耗， BiFET 技術使制造商集成其它功能成為可能，例如在功放芯片內集成LDO，手機制造商能夠更多的減少電路板空間及進一步降低成本。

　　此技術還有另一優勢：它使得制造商可將功放模塊設計于更小面積上。如表1顯示， ANADIGICS 現在提供業界第一個3x3mm 單頻和 3x5mm 雙頻WCDMA HELP3功率放大器

　　HELP3技術與朝向低電壓邏輯的移動手機制造商并駕齊驅。新型號的HELP功放以 1.8V 邏輯電壓設計。這些功放將提供更長的通話時間，并進一步減少靜態電流少于4mA。

　　此外， ANADIGICS 使用BiFET制成開發了我們稱為 ZeroIC 的功放，也稱為旁路功放，此類放大器可以在低于某個功率水平下完全被關閉，因此電流消耗為0，通過開關網絡提供一條旁路路徑到功放模塊的輸出端。

　　結論

　　ANADIGICS創新的InGap-Plus制成是HELP功放技術的基礎。這個制成允許在同一晶體上分別優化高性能的射頻開關和功率放大器。ANADIGICS已經使用這項技術提供業界第一個3x3 mm 單頻和3x5 mm 雙頻 WCDMA HELP3功率放大器。