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        BiFET功放的集成功率管理為3G手機省電多達25%(08-100)

        —— Integrated power management for BiFET power amplifiers enables up to 25% reduction in current consumption for 3G handsets
        作者:Mahendra Singh WCDMA產品線總監ANADIGICS, Inc. 時間:2009-02-27 來源:電子產品世界 收藏

          消費者對數據和多媒體的需求促使全世界的電信運營商把2G升級至 或以上的網絡。這種趨勢給了移動設備設計傳遞了很強烈的信號。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/91844.htm

          手機除了提供有競爭力的價格,還必須傳輸更高的功率,更優的線性度及更好的效率。最重要的是,手機必須有更長的通話時間,因為 3G 用戶需要耗費更多時間使用他們的手機。

          盡管在過去幾年中,電池技術不斷改進,但是仍然落后于功能擴展的需求。設計師必須減少手機功耗來滿足高功率輸出和更長通話時間的需求,這必須靠手機的半導體設備上來實現。由于功率放大器 (PA) 是當前龐大需求的其中一個組件,著重于通過從功率控制來減少電流消耗是有意義的。

          與此相對應,眾多的功率控制功能可以集成到功放模塊上。集成功率控制功能不僅僅強調當前功耗的問題,并提供了更有效的手機設計方法。芯片集成允許手機設計師不使用單獨的DC/DC轉換器和旁路電容,來優化功率管理和獲取更長的通話時間,同時減少PCB板的復雜性。

          優化低功率輸出的需求

          控制功放功耗的一種方式是在較寬的輸出功率范圍內提高效率。這可以通過評估 CDG(CDMA Development Group)或者 GSMA(GSM Association)在 3G 網絡中的手機功率分布曲線圖,優化功放效率來實現。圖1為 3G 手機制造商使用的 GSMA的功率分布曲線。

         

          圖1 3G網絡的GSMA 功率分布曲線

          顯而易見,手機大部分時間工作在低功率水平,大約在- 4dBm的功率級別。假設在 PA 和天線之間的電路損失大約為 3dB,那么 PA的輸出功率大約為- 1dBm。

          在低功率級別(低于 0dBm), 功放主要消耗的是靜態電流。- 1dBm輸出功率時,功放的靜態電流通常約為50mA。通過在低功率級別,減少靜態電流提高功放效率,設計師可以大量的減少功率損耗。

          然而直到最近,這都還不是可行的。用于手機的典型雙狀態的單鏈路PA的只能在最大額定功率下進行優化。這使得手機在低功率水平下工作時的效率很低。

          當然,通過增加外部的 DC/DC 轉換器和偏置電壓控制可以優化單鏈路功放在低功率輸出時的效率,以達到增長通話時間。但是就像上面所提到的,一個 DC/DC轉換器也同時增加手機的尺寸及成本。此外,這將使設計變復雜,因為手機必須在不同的模擬控制狀態下進行校準。

         


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        關鍵詞: BiFET 3G 省電

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