電子束導向設計eBeam創始計劃正式運作

　　2009年2月24日，加州圣荷西訊- 多家電子業領導廠商今天共同宣布eBeam創始計劃正式運作。此平臺主要致力于教育及推廣新的制造設計 (design-to-manufacturing)方法，也稱作電子束導向設計(Design for e-Beam;DFEB)。藉由降低半導體設備的光罩成本，電子束導向設計(DFEB)被視為成為增強設計啟動以及縮短半導體設備上市時間的最終關鍵。

　　本創始計劃會員涵蓋半導體上下產業鏈，會員分別為Advantest、Alchip Technologies、 Altos Design Automation、Cadence Design Systems、CEA/Leti、D2S、Dai Nippon Printing、e-Shuttle、eSilicon Corporation、 Fastrack Design、Fujitsu Microelectronics、Magma Design Automation、Tela Innovations、Toppan Printing、Virage Logic 以及Vistec 電子束微影制程技術集團。其它創始會員還包含:設計團體D.E Shaw研究公司處長Marty Deneroff、eSilicon的總裁兼執行長Jack Harding、PMC-Sierra 營運長Colin Harris、Qualcomm首席工程師兼技術經理Riko Radojcic以及STMicroelectronics 計算機輔助設計部門(Computer Aided Design)處長Jean-Pierre Geronimi。eBeam創始計劃的指導小組由Advantest、CEA/Leti、D2S、e-Shuttle、Fujitsu Microelectronics，Vistec以及常務贊助商的 D2S多家公司共同組成。

業界對于電子束創始計劃 (e-beam Initiative)的需求迫切

　　先進IC制造的成本增加趨勢似乎沒有趨緩的跡象，除非采用全新的制造技術才有可能改變現況。隨著每個制程節點(node)光罩預算就向上倍增，這導致少量的ASICs應用及市場持續縮小，這反應著未來應用產品想獲利將會是一項挑戰。無須仰賴微影制程技術轉變，電子束導向設計(DFEB)可最佳化且提高目前的電子束(e-beam)技術。藉由有效地利用電子束直描(EbDW)方法，電子束導向設計(DFEB)可忽視光罩成本同時還可藉由縮短微影制程技術導向設計(design-to-lithography) 的制程流程達到加速產品快速上市。

　　除了之前提到的明顯優勢外，電子束(eBeam)的制造方式將使系統公司尋求更早的原型品以供測試，這種電子束導向設計(DFEB)可在廣大的特殊應用領域上產生巨大影響，這反應在中低量的半導體公司生產的測試芯片、樣品以及在設計產生的變異性上。

　　由于eBeam創始計劃會員分布整個產業鏈，從硅質材(IP)、電子設計自動化軟件公司(EDA)到半導體制造商、設備制造商、系統設計公司、研究單位、服務公司以及光罩制造商，創始計劃預期可加速生產導向的電子束直描(EbDW)技術使用電子束導向設計(DFEB)。

　　「通過成功的合作，我們能夠分享及教育產業，新的無光罩制造方法提供無數的好處。」D2S執行長 Aki Fujimura表示:「目前光罩產業預算價格過高，然而，發展電子束導向設計(DFEB)將可降低光罩成本同時衍生出多樣的低量系統單芯片(SoCs)。」

　　PMC-Sierra 營運長暨eBeam創始計劃顧問Colin Harris表示:「我們在今日的許多領導廠商身上看到這項技術逐漸帶來的利益，其證實了具有高潛力的電子束導向設計(DFEB)可控制持續成長的光罩成本。透過較低門坎來做投片(tape out)，我們將可更迅速地采用新的技術制程及在目標產品上追求更低功耗、更具效能的特性。」

早先的成果證實電子束導向設計(DFEB)的成功

　　許多的eBeam創始計劃會員已共同合作并證實了無光罩制造方式在45納米及32納米制程節點的測試光罩上獲得成功。

　　相關檔「Cell Projection Use in Maskless Lithography for 45-nm and 32-nm Logic Nodes」將于2月24日下午2點20分在圣荷西麥肯納吉會議中心舉辦的「SPIE 先進電子束微影制程技術」會議，第五場:電子束直描(EBDW)議題上發表。