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        噪聲與低噪聲設計的探討(上篇)

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        作者:Joshua Israelsohn 時間:2005-09-21 來源:EDN電子設計技術(shù) 收藏
        噪聲與低噪聲設計的探討(上篇)
         
        這是一篇由兩部分組成的連載文章的第一部分,介紹了一些基本概念,以便于你著手考慮低噪聲設計。

          要點
          ●  要將器件噪聲、失真和干擾信號區(qū)分開來。它們各有自己的來源、預防措施和補救措施。
          ●  有源器件和電阻器都有多種噪聲分布。要使自己熟悉各種噪聲源,以及引起噪聲的電路運行參數(shù)。
          ●  在許多應用系統(tǒng)中,信號的源阻抗可以確定評估噪聲幅度的背景。
          ●  如果把一些可以換算的數(shù)值記憶在腦海里,你就可以隨手對熱噪聲進行快速而準確的估算。

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          噪聲是許多信號處理系統(tǒng)的基本制約因素。同樣,它是許多電子設計,特別是接口電路的主要制約條件。在測試與、醫(yī)學成像和高速數(shù)據(jù)通信等方面的行業(yè)趨向都需要越來越高的信息密度。與此同時,半導體工藝的進步能實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)處理速度和功能密度,但卻要降低工作電源電壓,由此降低信號幅度。結(jié)果是,加大了系統(tǒng)設計對模擬前端噪聲性能進行管理的壓力。
          系統(tǒng)地探討像噪聲這樣繁雜的課題是件難辦的事情,而且不是幾頁篇幅就可以說得清楚的。EDN 為了努力擴展這一討論的范圍,請幾家在低噪聲器件和電路設計方面具備專業(yè)知識的半導體制造廠提供相互關聯(lián)的應用說明和技術(shù)文章。這些資源都能在 EDN 網(wǎng)站的模擬技術(shù)資源部分找到。這些相關信息的集合就可以作為進一步了解這一課題的動態(tài)信息來源。
          如果你自己對這一課題進行研究,那你就會發(fā)現(xiàn),許多文獻資料把所有不需要的信號(來自外部的和存在于電路內(nèi)部的)都歸入噪聲這一大類。但是設計師對外部和內(nèi)部這類噪聲采取的預防和補救措施則是大不相同的。你不能忽視任何一類噪聲,但本文著重討論信號路徑內(nèi)部的噪聲源。也就是說,良好的低噪聲系統(tǒng)設計需要充分考慮電路工作環(huán)境內(nèi)的干擾。(見附文《外部因素》)。
          隨機事件,可預測的形狀
          電子元件通過不同的噪聲源機制產(chǎn)生三種噪聲譜的組合。各個噪聲源項分別表示平帶噪聲、1/f 噪聲或1/f2 噪聲:
         
          式中, pn(f) 是噪聲源的功率譜密度——即中心頻率為 f 的 1Hz 帶寬的平均功率,c 是恒定幅度(參考文獻 1)。
          為了不與噪聲譜的形狀相混淆,給出的功率譜密度是一個單位為瓦/赫的函數(shù),從而可以通過求某個帶寬內(nèi)的密度積分,計算出某一頻帶內(nèi)的 rms 噪聲功率:
          然而,大多數(shù)有源電路都是將信號作為電流或電壓來處理的。例如,雙極晶體管是跨導器件:它產(chǎn)生的輸出信號電流是與輸入信號電壓相對應的。為了能對信號和噪聲進行快速比較,一般都用每根赫的電壓或每根赫的電流來表示噪聲譜密度。
          在產(chǎn)生這三種常見噪聲譜的機制中,最常見的機制產(chǎn)生平帶(Flatband)噪聲,也稱白噪聲,因為噪聲功率是均勻地分配在整個頻譜范圍內(nèi),就像白光均勻分布在可見光譜范圍內(nèi)一樣。平帶噪聲源產(chǎn)生散粒噪聲(或叫肖特基噪聲)和熱噪聲(也稱約翰遜噪聲,為的是紀念物理學家 John Bertrand Johnson 于 1928 年發(fā)現(xiàn)了這一現(xiàn)象)。雖然這兩種噪聲的頻譜是難以區(qū)分的,但作為電路工作條件的函數(shù),散粒噪聲源和約翰遜噪聲源的行為則是不同的。
          散粒噪聲無處不在
          散粒噪聲是由電子通過一個勢壘的離散量子性質(zhì)產(chǎn)生的。它通常與二極管和雙極晶體管有關。電流可以按直流電大小給定的穩(wěn)定平均速率通過一個PN結(jié),但各個載流子只有當它們具有足夠能量來克服PN結(jié)勢壘時,才能作為隨機事件穿過PN結(jié)(參考文獻 2)。在極限情況下,電流被量子化為電子能級,所以平均電流就包含大量的離散事件。
          散粒噪聲計算公式如下:
          其單位是安培均方根值,式中 q 為電子電荷(1.6

        關鍵詞: 測量

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