IDT推出針對(duì)工控、醫(yī)療成像和通信應(yīng)用的下一代雙口RAM

　　IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個(gè)新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200MHz 的性能，以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。

　　雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯，可以通過(guò)獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過(guò)解決芯片間連接問(wèn)題，增加帶寬并降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性，同時(shí)通過(guò)使用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的成熟器件，實(shí)現(xiàn)快速上市。

　　IDT 公司流量控制管理部門(mén)市場(chǎng)總監(jiān) Carl May 表示：“IDT一直積極尋找改善我們現(xiàn)有產(chǎn)品的方法，為我們的客戶提供不斷進(jìn)化的升級(jí)，在其未來(lái)的設(shè)計(jì)顧慮變成問(wèn)題之前，幫助他們排除這些顧慮。這些新器件為我們的客戶提供了性能和功耗上的顯著改善。”

性能和優(yōu)勢(shì)

　　新的 9Mb IDT 70P3519 和 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步雙端口器件。兩款器件可提供完整的同步功能，有助于 IDT 的客戶優(yōu)化其設(shè)計(jì)，獲得更高的性能和更低的功耗。此外，這兩款器件還有助于客戶同時(shí)存取單個(gè)存儲(chǔ)器地址，而無(wú)需外部器件。同步功能包括計(jì)數(shù)器、多個(gè)獨(dú)立的芯片使能和字節(jié)使能（byte enable）及同步中斷。此外，控制寄存器、數(shù)據(jù)和地址輸入可實(shí)現(xiàn)最短的設(shè)置和保持時(shí)間，以便使產(chǎn)品更快上市。通過(guò)采用輸入數(shù)據(jù)寄存器，這兩款雙端口器件為具有單向或雙向數(shù)據(jù)流突發(fā)的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)由 CE0 和 CE1 芯片使能引腳控制的自動(dòng)掉電特性，可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入一種非常低待機(jī)功耗的模式。

　　0P3519 和 70P3599 能夠支持一個(gè)或兩個(gè)端口上3.3V、2.5V 或 1.8V 的 I/O 電壓。這兩款器件的內(nèi)核電源（VDD）為 1.8V。

封裝和供貨

　　為了方便 IDT 客戶采用，IDT 70P3519 和 70P3599 均采用與現(xiàn)有 IDT 雙端口解決方案一樣的封裝：256 引腳球柵陣列（BGA）、208 引腳塑料方形扁平（PQFP）和 208 引腳細(xì)間距球柵陣列（fpBGA）。