日開發可預測半導體特性變化的電子模型

　　據日本《日刊工業新聞》報道，一家由東芝、NEC電子等11家日本半導體生產商共同出資建立的高技術企業半導體尖端技術公司，近日成功開發出一種電子模型，該模型可被應用于預測互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管的特性變動。 
　　
　　在下一代半導體的研制與開發過程中，通常都會應用到一種叫淺溝道隔離（STI）的技術，這種技術被用于分隔大規模集成電路中CMOS晶體管的相鄰元件。而應用新開發的這種模型，可以在進行STI工序時預測所產生的應力引起的晶體管的特性變化，從而使對相鄰元件間距離的計算更加精確，不必像過去進行半導體設計時那樣考慮過多的冗余。

　　據該公司稱，這項發明可以將大規模集成電路的性能最大提高20%%，并將被日本生產商應用于下一代大規模集成電路的開發。