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        ST推出一系列新型的絕緣柵雙極晶體管

        作者: 時間:2008-05-19 來源:電子產品世界 收藏

          近日,)推出一系列創新的絕緣柵雙極(IGBT),新系列產品采用高效的壽命控制工藝,有效降低關斷期間的能耗。如果設計工程師采用的全新IGBT(包括GxL6NC60D 600V PowerMESH),用于工作頻率超過20kHz的照明等節能型電路內,應用的整體功率可望提高到一個新的水平,遠勝標準技術的MOSFET。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/82741.htm

          開關性能的改進容許設計工程師把IGBT用于以硬開關拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產品。新產品關斷能耗降低,使用很小的緩沖即可在低結溫下工作,帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優點。

          在芯片的單位面積性能方面,ST的新IGBT技術遠遠勝于傳統的MOSFET,有助于實現成本更加低廉的解決方案。新產品還有一個優點:封裝內含有一個超快速軟恢復二極管,保證新產品具有其它功率器件無法實現的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標應用包括70W-150W高頻以及開關電源、功率因數控制器和其它的高頻功率開關設備。 

          STGxL6NC60D系列產品共有四款產品,提供豐富的功率封裝選擇:TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。



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