采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發器(06-100)
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串行控制總線
本文引用地址：http://www.104case.com/article/81180.htm該集成電路由兩個獨立的串行三線制總線控制。其中一條總線負責控制常規配置，另一條獨立的總線用于設置接收增益。編程接口可后向兼容前代產品并可根據DigRF標準處理相關命令。最大總線時鐘頻率等于參考時鐘頻率(15.36 MHz至38.4 MHz)。也可通過主用三線制總線(負責配置的總線)對接收增益進行設置。在本例中，備用總線引腳可被用作GPO(通用輸出)引腳。
前端控制
由于多頻段和多模操作所導致的前端復雜度的加大，要求我們對外部組件(例如LNA、PA和轉換器等)進行有效控制。因此，該集成電路包含非常靈活的軟件編程前端控制功能模塊，它可通過以事件觸發方式轉換6個專用輸出引腳滿足外部組件控制要求。為了確保兼容未來的前端組件(例如三增益LNA)，可選擇一個電壓級別可變的附加邏輯“高”信號。
操作測試功能
可通過啟動一個特殊的測試模式和讀回測試圖形對集成電路功能進行檢查，例如檢查是否有所有輸入電壓等。這有助于查明生產過程中的焊接問題。在操作過程中，鎖定檢測引腳邏輯狀態可跟蹤接收器和發射器PLL的鎖定狀態。利用這些信息，信道轉換防護間隔可被最小化。
芯片布局
圖9顯示的是該集成電路的縮微圖。接收器射頻通道位于右側，左上角是調制器和基帶濾波器。接收器VCO位于芯片中央。發射器基帶濾波器位于芯片左下角，在發射器PLL環路濾波器和發射器VCO的下方。發射調制器和射頻輸出通道位于芯片下緣。
結語
支持UMTS FDD標準所規定的所有工作頻段的單芯片全集成化3G UMTS/W-CDMA收發器已經推出。該集成電路采用標準化0.13微米CMOS工藝制造而成。該設計包括兩個分數型頻率合成器(搭載全集成化VCO、片上調諧和PLL)、零中頻接收通道和直接轉換型發射器通道。接收器和發射器都具備出色的性能，為創建滿足UMTS最低性能規范(帶容限)的平臺解決方案創造了條件。該器件的工作電壓為2.7-3 V，接收模式下功耗為35 mA，在發射器活動時的最大功耗為80 mA。這些結果表明了本文所述收發器的競爭優勢，因為它可同時滿足BiCMOS工藝產品的功耗和性能要求。該芯片采用非常袖珍的無引腳封裝，面積僅為5×5毫米，高度僅為0.8毫米，完全符合ARIB WCDMA和UMTS標準。
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