我們曾在《設計實例》中闡述的一種簡單方法,可以在一個預定的時間后自動關斷電池,以延長電池壽命(參考文獻1)。本《設計實例》介紹一種更簡單的能完成相同功能的方法(圖 1)。四重雙輸入NAND施密特觸發器IC1的兩個門組成一個改進的觸發器。當電路加上9V電池電壓時,IC1A的輸出變為高電平,因為C1上的初始電壓為零。IC1B的輸出變為低電平,并通過R2反饋到IC1A。C3通過R3充電。IC1C的輸出變為高電平,因為R6接地。P溝道MOSFET開關Q1關斷,IC1D輸出變為高電平,并通過R2給C4充電。 當按下瞬動開關S1時,由于IC1A的兩個輸入端均為高電平,其輸出就變為低電平,從而迫使IC1B的輸出變為高電平。R2的阻值比R3小得多,因此當S1維持導通狀態時,C3保持高邏輯電平。當S1關斷時,C3通過R3放電。 MOSFET 開關可以用兩種方法來關斷。當鉭電容C2充電充到 IC1C的輸入端電壓低于其閾值 V- 時,IC1C的輸出從低電平變為高電平;這一電平變化使 MOSFET 開關關斷。C2 和R6決定這種自動關斷的持續時間。如果C2 的電容值和R6的阻值如圖所示,則關斷大約需要6分鐘。同時,IC1D輸出從高至低的變化可通過C4迫使IC1A和IC1B回到待機狀態。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/7912.htm

另一種方法是,按下S1,關斷MOSFET開關。因為C3上的電壓很低,所以S1的閉合使IC1A的輸出變為高電平,而IC1B的輸出變為低電平。IC1B輸出由高至低的變化迫使IC1C的輸出變為高電平,從而使 MOSFET 關斷。由于C2的電容值相當大,所以用D1來提供一條快速放電通路,并用R4限制放電電流。 這個電路在待機狀態下消耗不到0.2mA 的電流。 MOSFET 開關的導通電阻很小,所以在負載電流為100 mA 時,該開關只降低2 mV 電壓。如果需要一個通電指示燈,可以在負載一側串接一個限流電阻的情況下增加一只 LED。
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