三菱電機智能功率模塊可精確迅速檢測硅片溫度

三菱電機將攜同最新推出的第五代智能功率模塊L1系列IPM，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為客戶演示工業應用中的新型功率器件。

三菱電機日前新推出第五代L1系列智能功率模塊，其將硅片溫度傳感器設置在IGBT硅片正中央處，實現了更加精確迅速的硅片溫度檢測。該系列IPM采用全柵型CSTBTTM硅片技術，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優化的VCE與Eoff折衷曲線。L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發了25A/1200V和50A/600V的小封裝產品以滿足客戶節約成本的需求。

三菱電機早在1992年用IGBT作為功率開關器件集成最早的智能功率模塊。其IPM不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起，而且還內藏有欠電壓、過電流和過熱等故障檢測電路，并可將故障檢測信號輸出到控制單元。三菱電機的IPM具有體積小、開關速度快、功耗低、抗干擾能力強、無須防靜電措施等優點，大大縮短了客戶項目開發周期。

三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業部長谷口豐聰先生說：“近年來，電力電子技術正朝大容量、高頻化、模塊化及智能化的方向迅速發展，以提高裝置的功率密度，降低噪音，減小能耗和原材料消耗。三菱電機在這種趨勢下，推出第五代智能功率模塊L1系列IPM，協助客戶提高產品性能和系統可靠性。”

三菱電機的IPM以其高可靠性，使用方便贏得越來越大的市場，尤其適合于電機驅動用的變頻器和伺服驅動器等。

三菱電機在展會期間，將現場滾動講解各技術方案及其應用。