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        透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體FET技術(shù) 備受矚目

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        作者: 時(shí)間:2005-07-13 來源: 收藏
          “2005年有源矩陣型液晶顯示器國(guó)際研討會(huì)(AM-LCD '05)”的第2天,在三場(chǎng)專題會(huì)議上總計(jì)發(fā)表了10場(chǎng)特邀演講,另有2條快訊,還有44項(xiàng)海報(bào)展示,內(nèi)容非常豐富。其中的壓軸戲就是東京工業(yè)大學(xué)教授細(xì)野秀雄所做的題為《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技術(shù)發(fā)表。細(xì)野曾因2004年底在《自然》科學(xué)雜志上發(fā)表《室溫下在塑料底板上形成遷移率為10cm2

        關(guān)鍵詞: 非結(jié)晶

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