透明非結晶氧化物半導體FET技術 備受矚目 —— 作者： 時間：2005-07-13 來源： 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> “2005年有源矩陣型液晶顯示器國際研討會（AM-LCD '05）”的第2天，在三場專題會議上總計發表了10場特邀演講，另有2條快訊，還有44項海報展示，內容非常豐富。其中的壓軸戲就是東京工業大學教授細野秀雄所做的題為《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技術發表。細野曾因2004年底在《自然》科學雜志上發表《室溫下在塑料底板上形成遷移率為10cm2
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