世界物理學家中國半導體宗師黃昆在京逝世

　　世界著名物理學家、中國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一、中國科學院院士、2001年度 國家最高科學技術獎獲得者，中國科學院半導體研究所名譽所長黃昆院士因病醫治無效，于2005年7月6日16時18分在北京逝世，享年86歲。 

　　黃昆院士，1919年9月出生于北京，1941年畢業于燕京大學物理系。1945年赴英國留學，1948年獲英國布里斯托大學哲學博士學位，1949年—1951年在英國利物浦大學理論物理系任博士后研究員，1951年—1977年在北京大學物理系任教授，1977年—1983年任中國科學院半導體研究所所長，1983年至今，任名譽所長。1987年—1991年曾任中國物理學會理事長。他先后被選為中國科學院學部委員，瑞典皇家科學院外籍院士，第三世界科學院院士。 

　　黃昆院士對固體物理學作出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質有關的X光漫散射，以后被稱為“黃散射”。他的多聲子躍遷理論，以“黃—里斯因子”而著稱于世。他提出關于描述晶體中光學位移、宏觀電場與電極化三者關系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動的耦合，即后來稱為極化激元的重要概念。他與M.Born合著的《晶格動力學理論》一書，是一部有世界影響的經典性科學專著。他的理論對信息產業（特別是光電子產業）具有重要的現實指導意義，產生著越來越深遠的影響。近年來，他與合作者對半導體超晶格的電子態和聲子模開展了系統而富有成效的研究。從“黃散射”到“黃方程”，從“黃—里斯因子”到“玻恩和黃”，以至“黃—朱模型”，黃昆院士在固體物理學發展史上建樹了一塊塊豐碑。