公布日程表 美國國家半導體宣告無鉛諾言
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這一積極進取的計劃是一項超前的計劃的一部分,該超前的計劃是為了生產更多不影響環境的電子元件、保護環境并方便回收利用。除了消除鉛之外,美國國家半導體還極大降低了封裝過程中基于溴和銻的阻燃劑。
2004年4月,美國國家半導體宣布該公司計劃為其全系列的集成電路提供無鉛封裝,而現在該公司15000個型號的模擬和混合信號集成電路已采用無鉛封裝。2006年6月底,美國國家半導體銷售的產品將完全實現無鉛封裝(《有害物質限制條例》不作規定的除外),屆時,該公司將完全符合歐洲議會 (European Parliament) 制定的《有害物質限制條例》(Restriction of Hazardous Substances,RoHS)。然而,該公司降低鉛含量的目標實際上比與其交易的國家的目標更具積極進取性。
鉛以前用來為基于銅引線框封裝進行光澤裝飾。它還用于陣列封裝焊接球,這些陣列封裝包括微 SMD、塑膠球柵陣列 (PBGA) 和精細球柵陣列 (FBGA) 等封裝。美國國家半導體已用霧錫糙面精裝替代引線框封裝所采用的鉛,用錫、銀和銅的合金替代微 SMD 封裝中的鉛并用錫銀合金代替塑膠球柵陣列和精細球柵陣列封裝中的鉛。一旦這項積極進取的計劃全面實施,美國國家半導體預計每年將替換掉約5噸的鉛。
美國國家半導體中心技術加工部門 (Central Technology Manufacturing Group) 執行副總裁 Kamal Aggarwal 表示:“作為無鉛封裝技術的領導廠商,美國國家半導體正在努力拓展在環境友好且易于回收的高性能創新產品方面所做的努力。”
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