現代第三季度將生產57納米NAND閃存

    北京時間6月26日硅谷動力從臺灣媒體處獲悉：日前業內有消息傳出，為了進一步削減成本同時更好地與三星電子以及東芝等領導廠商進行競爭，現代半導體計劃于今年第三季度在其8英寸工廠采用57納米制程進行NAND閃存生產。 

    來自現代下游客戶的消息稱，現代計劃將NAND閃存生產所采用的60納米制造工藝升級為57納米制造工藝，與此同時，為了進一步削減成本，現代將繼續在其8英寸工廠進行NAND閃存生產。據了解，通過此次技術升級，現代NAND閃存生產成本預計將削減20%。根據市場研究機構iSuppli公布的研究數據顯示，現代目前在全球NAND閃存市場的占有率達到18.5%。


    與此同時，現代還將在明年第一季度引入48納米生產工藝，屆時可能無法繼續使用8英寸晶圓工廠。有消息稱，東芝能夠通過56納米生產工藝很好地控制產量，但三星52納米NAND閃存生產仍遭遇“瓶頸”問題。 

    麥格理證券研究公司表示，現代60納米制程轉移速度低于預期，但由于該公司減少DRAM芯片產能，并將更多晶圓用于NAND閃存生產，產量因此得以提高。該公司同時預測，現代NAND位元增長率將在今年下半年有所加快，預計將達到78%。