英特爾芯片技術40年來大突破 漏電量將銳減

　　6月13日消息，英特爾的基本晶體管設計取得了一項巨大的進步。英特爾披露稱，它正在使用兩種全新的材料制作45納米晶體管的絕緣層和開關柵。

　　據chinapost.com.tw網站報道，英特爾下一代Core 2 Duo、Core 2 Quad和Xeon等多內核處理器將使用數億個這種微型晶體管。英特爾稱，它有5個早期版本的產品正在運行。這是英特爾計劃生產的15個45納米處理器中的第一個。

　　這種晶體管能夠讓英特爾繼續提供創紀錄的臺式電腦、筆記本電腦和服務器處理器的速度，同時減少晶體管的漏電量。晶體管漏電影響到芯片和PC設計、尺寸、耗電量、噪聲和成本。這個技術還將保證摩爾定律在下一個10年仍然發揮作用。

　　英特爾認為，通過推出可以工作的代號為“Penryn”的45納米處理器，英特爾已經把它領先于半導體行業其它競爭對手的優勢擴大到了一年以上。

　　英特爾是第一個在45納米技術中采用創新方法把新材料結合在一起的公司。這些新材料將顯著減少晶體管的漏電量和提高性能。英特爾將使用一種屬性稱作“high-k”的新材料制作晶體管柵絕緣體，用一種新的金屬材料組合制作晶體管柵電極。

　　英特爾共同創始人Gordon Moore說，采用“high-k”和金屬材料標志著自從60年代末推出多晶硅柵MOS晶體管以來晶體管技術的一個最大的變化。

　　英特爾高級研究員Mark Bohr說，在45納米工藝技術中采用“high-k”和金屬柵晶體管將使英特爾能夠提供速度更快、更節能多內核產品，把摩爾定律延續到下一個10年。