微波暗箱反射率電平分析與測量 2

　　圖（3）、圖（4）分別表示了自由空間的入射、反射波構(gòu)成的駐波和駐波曲線。顯然該方法的實際物理意義是：在理想狀態(tài)下，暗箱內(nèi)只存在直射波，而投射到吸收材料上的電磁波能量絕大部分被吸收掉了，但當(dāng)有一定的雜散波存在（如反射波、繞射波、散射波等），這些相干波束在極化相同的條件下，當(dāng)兩波間相位相差2nπ（n=1，2，3）時，就形成波峰，而相位差為2（n+1）π的地方，兩波相抵消或部分相抵消形成波節(jié)，在圓柱形暗箱內(nèi)出現(xiàn)許多波峰、波節(jié)而形成場結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜的空間駐波分布。因此，在靜區(qū)范圍內(nèi)反射率電平要比其它空間內(nèi)的反射率電平小很多。

5 確定小圓柱形微波暗箱反射率電平的主要方法

　　（1） 測量接收天線的方向圖，在所需要的方位角φ上標(biāo)出相應(yīng)的方向圖電平A1（dB）。

　　（2） 將天線最大輻射方向指向φ角，橫向移動天線并記錄此時的空間干涉波曲線，如圖（5）所示：

　　（3） 描繪駐波曲線的包絡(luò)，由包絡(luò)線的極大極小值求出Δab，并求出它的平均電平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天線的方向圖電平。如圖（6）：

　　（4） 在不同的角上，重復(fù)（2）、（3）步驟，就能求出一系列空間駐波曲線，再由駐波曲線的包絡(luò)來求出Δab值，在ED＞ER的情況下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED＞ER，則需按下式計算反射率電平：

　　由于ED隨天線的移動有規(guī)律的變化，ER無規(guī)律的變化，在某取向角，如果實測空間駐波曲線的平均值出現(xiàn)無規(guī)律變化時，就能判定ER＞ED，或者在這個取向角上，假定駐波曲線的平均電平比在這個取向角上方向圖的電平高，也能判定ER＞ED。

6 建立小圓柱型微波暗箱的測試系統(tǒng)與測試步驟

　　（1）測試裝置的建立

　　微波暗箱反射率電平的測試系統(tǒng)主要由發(fā)射信號源（69347B）、接收機(jī)（MS2667C頻譜分析儀）、計算機(jī)及接收天線和測試支架組成，見框圖（7）。其中信號源為發(fā)射天線輸出一個微波直射信號，由頻譜分析儀接收來自各方向的反射及直射信號，并由計算機(jī)讀出后描繪出一個空間駐波曲線，并計算出反射率電平。天線支架用來控制測試天線的上下、左右直線移動及轉(zhuǎn)角姿態(tài)的變化動作。為了能比較準(zhǔn)確地描繪出空間行程駐波曲線，天線移動的行程距離必須大于等于兩個波長。最后通過改變接收天線取向角以獲得若干條駐波曲線，從而達(dá)到測試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。

　　（2）測試過程

　　依據(jù)"VSWR"法的特點，我們將接收天線安裝在測試支架上，使天線處于暗箱中心軸線上，并距離后壁尖劈為15cm處，分別改變天線與中心軸的夾角來進(jìn)行反射率電平的測試。

　　（3）天線測試狀態(tài)的確定

　　這里我們僅選擇垂直極化狀態(tài)進(jìn)行測試，其次考慮到被測箱體的限制，在測試位置上僅選取一點，即接收天線距離后壁尖劈為15cm處，俯仰角為