飛兆半導體推出3G射頻功率放大器

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出PowerEdge™雙頻帶(WCDMA/ UMTS) RF功率放大器模塊 (PAM)，可將效率 (PAE) 提高至42％，大大超越同類型產品。飛兆半導體的RMPA2265是第一個3x3 mm LCC 封裝,可于1850-1910 MHz 和1920-1980 MHz兩個頻帶工作的3G 射頻放大器模塊，其面積較4x4 mm封裝縮小約44％。RMPA2265可滿足當今3G移動電話、PDA和無線PC數據卡等產品設計對射頻功放 高效率、靈活的頻率特性和更小尺寸的要求。RMPA2265還合乎新興的高速下行鏈路分組接入 (HSDPA) 標準。

飛兆半導體RF功率產品部總經理Russ Wagner稱：“飛兆半導體的PowerEdge雙頻帶功率放大器模塊可讓OEM廠商設計更新的產品，為客戶提供更多的頻帶選擇，并可大大擴展覆蓋范圍。鑒于手機的功能不斷聚合，而且需要更高的電源效率，RMPA2265可在業界最小的封裝內提供多項優異特性，包括減少線路板空間需求、延長通話時間及增加雙頻帶靈活性。”

RMPA2265的卓越線性和高功率增加效率是通過飛兆半導體專有的InGaP異質結雙極晶體管 (HBT) 技術來實現。該器件帶有可選的高/低功率模式，用于進一步優化電流消耗。這種兩階功率放大器可在內部將輸入和輸出阻抗匹配至50歐姆，從而減少外部器件數目，簡化設計要求。

RMPA2265是無鉛器件，能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

價格 (訂購10,000個):  每個0.98美元
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