NOVELLUS（諾發(fā)公司）推出用于65納米及更窄工藝節(jié)點(diǎn)的氮化鎢/鎢淀積系統(tǒng)

諾發(fā)系統(tǒng)有限公司（納斯達(dá)克股票市場Nasdaq代號：NVLS）是全球半導(dǎo)體行業(yè)在高級淀積、表面處理和化學(xué)機(jī)械平坦化工藝等領(lǐng)域的生產(chǎn)力和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。該公司今天宣布推出用于65納米及更窄工藝節(jié)點(diǎn)填充接觸和通路的ALTUS DirectFill單系統(tǒng)解決方案。DirectFill系統(tǒng)采用諾發(fā)公司久經(jīng)考驗(yàn)的ALTUS平臺，不再需要傳統(tǒng)的鈦/氮化鈦(Ti/TiN)淀積設(shè)備。與現(xiàn)有的工藝相比，這項(xiàng)先進(jìn)的接觸和通路填充工藝可以將接觸電阻和總體擁有成本降低50%以上。

諾發(fā)公司的ALTUS DirectFill解決方案用單一的系統(tǒng)取代標(biāo)準(zhǔn)的多設(shè)備Ti/TiN/W工藝，簡化了鎢淀積工藝過程。這一系統(tǒng)將先進(jìn)的預(yù)清潔工藝整合在一個(gè)工藝模塊內(nèi)，隨后的模塊整合了諾發(fā)公司的PNL™氮化鎢(WN)淀積專利技術(shù)，而在第三個(gè)模塊內(nèi)則將PNL和鎢化學(xué)氣相淀積工藝整合在內(nèi)。這些采用氮化鎢和鎢的多功能序列淀積工藝模塊有助于提高產(chǎn)能和工藝復(fù)用率。

ALTUS DirectFill技術(shù)在技術(shù)上有幾個(gè)重要優(yōu)勢。首先，氮化鎢阻隔層顯示出原子級淀積(ALD)均勻性，而且比它所取代的Ti/TiN阻隔層要薄得多，這樣就可以用電阻率較低的鎢來填充大部分的電接觸。在45納米工藝節(jié)點(diǎn)這一級工藝，氮化鎢/低電阻率鎢DirectFill工藝可將接觸電阻降低50%以上。此外，PNL氮化鎢可以提供優(yōu)秀的阻隔層特性，并能與各種介電材料很好地粘附。所有的工藝溫度都在400