瑞薩發布最快4千兆位AG-AND型閃存芯片
瑞薩科技公司宣布開發出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型閃存存儲器,可以提供世界上最快的10 M字節/秒編程速度,用于電影和類似應用中的大容量數據的高速記錄。在2004年9月,將從日本開始樣品發貨,隨后在12月將開始批量生產。
R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置,可以提供下面的主要性能。
(1)世界上最快的4千兆位閃存存儲器(芯片)
作為實現了多級單元技術*2和高速度的第二階段AG-AND型閃存存儲器,R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下,也能達到10 M字節/秒的快速編程速度。復制一個2小時的MPEG-4格式的電影,大約需要2分鐘就可以完成錄制。
(2)小型芯片尺寸
由于使用90 nm工藝和改進的AG-AND閃存存儲器單元設計,實現了世界上最小的存儲單元。與1千兆位AG-AND型閃存存儲器相比,每千兆位的芯片面積大約縮小了三分之二。
這些新產品的發布使得電影和音樂等大容量內容的快速下載和傳送成為可能。相應地,其應用領域也從過去僅局限于數碼相機和個人計算機,現在可以擴展到移動終端和數字家用設備,擴大了使用閃存存儲器作為存儲介質的系統解決方案的應用范圍。
< 產品詳情 >
使用R1FV04G13R和R1FV04G14R,可以在單個芯片上配置512M字節的記錄介質,提供的存儲能力大約相當于160分鐘的MPEG-4電影數據,大約等同于130個磁道的MP3音樂數據,或大約500張4兆象素的數碼相機相片。
R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結如下。
(1)世界上編程速度最快的4千兆位閃存存儲器(芯片),速度高達10 M字節/秒。
和1千兆位產品一樣,使用熱電子注入編程方法*3和在單個芯片內同時進行4組編程操作,通過使用多級單元技術,實現了高達10 M字節/秒的編程速度。
(2)小型芯片尺寸
通過使用90 nm工藝和改進的第一代AG-AND型閃存存儲器源-漏*4結構,實現了世界上最小的0.016 μm2存儲單元面積。
與1千兆位 AG-AND型閃存存儲器相比,每千兆位芯片面積大約縮小了三分之二。
* 源-漏結構的改進:
使用了一種新結構,在AG上加電壓時,硅襯底上形成的逆溫層*5構成了存儲單元晶體管的源和漏。在常規的擴散層*6結構中,源和漏趨向于橫向擴散,但是,由于逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區域形成,因此可以縮小存儲單元的面積。
(3)支持加電讀出功能(2K字節大小)
系統加電時,不需要命令或地址輸入,通過控制兩個控制線(/CE 針和/RE針)就可以讀出多達2K字節的數據。
(4)在編程操作過程中具有高速緩沖存儲器編程功能,在擦除操作過程中,具有可編程數據輸入功能。
在器件編程過程中,可以對下一步2 K字節的數據進行高速緩沖存儲器編程的功能,最多可以進行兩次(4 K字節)。這使得系統可以很容易地分配總線進行下一個任務。
– 更多 –
在器件擦除過程中,可以進行一次高達2 K字節的下一步數據輸入的功能。
(5)NAND接口
在命令級,R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型閃存存儲器兼容,因此,對目前使用NAND型閃存存儲器的系統進行很少的軟件修改,就可以使用它們。
電源電壓是3.3 V,使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝,與1千兆位AG-AND型閃存存儲器的封裝尺寸相同。
未來的計劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發控制器,面向高速閃存卡的應用開發,以及開發2千兆位AG-AND型閃存存儲器產品和使用新型存儲單元的1.8 V低壓產品。
我們也計劃開發具有兩個層迭4千兆位AG-AND型閃存存儲器的大容量8千兆位產品,使用新的封裝形式(WFLGA: 超細節距柵格陣列),在2004年12月將開始高密度安裝。
< 開發支持工具 >
從2004年10月起,可以購買功能描述模型和C 語言參考庫,作為使用這些閃存存儲器進行系統設計的支持工具。
注釋:
1.AG-AND型閃存存儲器單元:使用場隔離方法的新型存儲單元結構,包括可以防止單元間干擾的交替輔助柵和浮動柵。通過使用小溝道電流進行熱電子注入,實現編程,與使用淺槽隔離的方法(通過形成開槽來隔離各個單元)相比,單元面積更小。
2.多級單元技術:一種適用于高密度閃存存儲器的技術,在縮小芯片尺寸方面卓有成效,它使用4個以上的值:比如00、 01、10和11,而通常的存儲器使用兩個值:0和1。使用4個值時,一個單元可以完成兩個常規單元的工作。
3.熱電子注入編程方法:將經過溝道電場加速的高能量“熱”電子注入到浮動柵的一種編程方法。單元的編程時間是10 μs或更少,比常規的隧道編程方法快一個數量級。
4.源和漏:MOS(金屬氧化物半導體)晶體管的基本組成部分。通常通過離子注入的方法,在擴散層形成源和漏。
5.逆溫層:對柵施加電壓時,在硅襯底的極淺區域產生了一個高密度電子區域。用作MOS晶體管的溝道。
6.擴散層:離子被注入硅襯底,通過對該區域施加電壓產生高密度電子。這是在MOS晶體管上形成源和漏的常用方法。
< 典型應用 >
用作高端數碼相機和硅器件電影設備中的大容量存儲介質。
在使用高速接口如USB2.0的移動終端中,作為大容量存儲介質。
用于需要幾千兆字節存儲容量的硅器件音頻設備中。
硅器件便攜式閱讀器、數字電視廣播用圖像回放設備等。
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