局部應(yīng)變技術(shù)可望提高FDSOI性能
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法國研究機構(gòu)CEA-Leti宣布開發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應(yīng)變的2種新技術(shù)，可望用于實現(xiàn)更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/284533.htm意法半導體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進晶片中采用FDSOI，并視其為能夠達到世界級能效的方法，而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本。
晶格上的應(yīng)變通常用于增加傳統(tǒng)平面CMOS與FinFET CMOS的行動性。如今，Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上，以實現(xiàn)同樣的好處;使其得以在相同的功耗下實現(xiàn)更高性能。
無論是FinFET或FDSOI制程都十分重要，因為在FDSOI中的 p-通道FET需要矽鍺(SiGe)通道材料的壓縮應(yīng)變，同時也需要拉伸應(yīng)變來改善矽晶n-通道 FET。Leti分為為兩種制程開發(fā)新技術(shù)，使其能在MOSFET通道中誘導高達1.6GPa的局部應(yīng)變。
LETI表示，由于28nm FDSOI并不一定需要應(yīng)變，這兩項技術(shù)主要瞄準的是22/20nm節(jié)點。第一種技術(shù)利用從SOI薄膜頂上的松散SiGe轉(zhuǎn)移應(yīng)變。這可用于提高短通道電遷移率達到20%以上。
第二技種技術(shù)取決于高溫退火下的埋層氧化物潛變至插入覆晶中的拉伸應(yīng)變。Leti指出，這種潛變也可以用于導入壓縮應(yīng)變。
這種應(yīng)變通道可增加CMOS電晶體的導通電流，以及在相同功率時實現(xiàn)更高的性能，或在一定性能時降低功耗。
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