聯華電子採用晶圓專工業界第一個0.11微米eFlash製程，量產觸控IC

　　聯華電子今日(22日)宣佈已採用0.11微米eFlash製程量產觸控IC應用產品。此特殊技術最初于2012年底于聯華電子推出，是為晶圓專工業界第一個結合12V與純鋁后段(BEoL)製程，以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用于各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，并可達到更高效能。

　　聯華電子市場行銷處資深處長黃克勤表示：「觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯華電子觸控平臺解決方案其中一項重要特點，就是我們的0.11微米eFlash解決方案，包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。并藉由結合鋁后段製程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控IC市場。此外，就如本公司0.18微米eFlash製程一樣，12V可滿足今日更大尺寸觸控螢幕，與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。」

　　聯華電子0.11微米觸控IC平臺與現今廣泛採用的3.3V解決方案相比，信噪比可改善超過三倍，可驅動晶片設計公司創造新世代更先進的觸控產品。聯華電子擁有製造觸控控制器IC的豐富經驗，有超過30家生產中的觸控客戶，每月出貨量逾4000萬顆IC。0.11微米製程以8吋晶圓製造，并採用純鋁后段技術，使觸控晶片設計公司能夠享有更低的一次性工程費用與相關成本，以提高市場競爭力。聯華電子同時提供自行研發的快閃記憶體硅智財，協助加速產品上市時程并促進客製化，以因應當今市場趨勢。聯華電子也開發極低漏電製程(uLL)，進一步降低元件與SRAM的核心電流達最高四倍。