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        【經驗分享】三極管的問題幾則

        作者: 時間:2015-09-10 來源:網絡 收藏

          簡介:這里的問題是這樣的,一個控制口給三個PNP的管子的基極供電,失效的時候是一個管子不能進入飽和區,由于每個管子的VBE和HFE的初始值不相同,且隨著溫度變化相差更大,由此引發的問題是三個管子不能正確的偏置,VBE比較低的管子的偏置電阻的電流最大,其余的兩個管子的偏置電流就顯得小。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/279972.htm

          Ib如果太小了,假定Ic一定的話

          否中情況出現H=Ic/Ib,在溫度低的情況下,很容進入放大區,導致Vce太大,邏輯就可能會出現問題。

          

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          因此即使一個NPN可以用來偏置幾個PNP的管子,每個管子要有獨立的基極電阻,這樣可實現存在Vbe差別的情況下,通過電阻實現一定的均流,確保電流的獨立。

          

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          即使控制端也不能隨便將多個管子連在一起,這點是我們要注意的。

          注意模塊間接口使用的問題

          如果設計的時候,使用了ULN2003,由于直接用它的輸入級接入模塊的輸入端,因此出現了問題。

          由于電纜上存在分布電感和分布電容,因此很容易出現耦合,在ISO7637的實驗中,存在高頻脈沖250V,200ns

          

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          我們必須加入限流電阻,并且與RB和分壓,或者加入其他抗瞬態的器件,這樣的設計是非常耗成本的,因此一般可以采用分立的器件。

          最好不用用晶體管的基極直接面對輸入,這回造成很大的隱患。

          另外一個錯誤很常見,就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面,前面已經驗算過MCU的輸出能力:單片機IO口的驅動能力

          這很明顯的造成了晶體管Ib過大,引起過大的損耗。

          

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          因此如果遇到分立的晶體管,注意驗證它的基極,是否直接接MCU,是否內部含有限流電阻(Build-in),否則很可能造成過熱和損壞。

          這里順便說明一下,由于有熱擊穿效應,所以建議把余量放大些,60%~75%,否則很有可能造成損壞。

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        關鍵詞: 三極管

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