華人科學家首獲國際功率半導體先驅獎

　　在第27屆國際功率半導體器件與集成電路年會上，電子科技大學教授、中國科學院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，獲“國際功率半導體先驅獎”，成為首位獲得該獎項的華人科學家。

　　國際功率半導體器件與集成電路年會是功率半導體領域頂級學術年會，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發明人Harry Vaes獲得該獎項。