ADI推出SPDT開關為測試測量應用提供快速建立時間

　　Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款專門用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運行時僅有0.6dB的低插入損耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產品組合中的第一款產品，展現了硅工藝技術的固有優勢，與傳統的GaAs(砷化鎵)RF 開關相比具有重大明顯優勢。 這些優勢包括：建立時間比GaAs快100倍;提供強大的ESD(靜電放電)保護(達到2000V，而GaAs僅為250V);能夠擴展開關的低頻端，比GaAs低1000倍，同時保持高線性度。

　　HMC1118LP3DE還提供4W的業界領先RF功率處理能力，在熱切換工作模式下達到0.5W。 它的熱切換功率處理能力超出了具有相同RF帶寬的競爭器件的兩倍，這使工程師能夠在他們的應用和系統中提高RF功率，而不會產生器件損壞的風險。 HMC1118LP3DE專為高隔離度進行了優化，在最大13 GHz的寬工作頻率范圍內提供極其平坦的傳遞特性，同時保持最低9kHz的高信號保真度。 這些特性組合在一起，使得該開關非常適合要求苛刻的測試和測量、自動化測試設備、國防電子產品、無線通信應用，充當傳統 GaAs開關的更低成本替代產品。

　　查看產品頁面并下載數據手冊：http://www.analog.com/pr1505212/hmc1118

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　　HMC1118LP3DE SPDT開關的主要特性

　　非反射式50歐姆設計

　　正控制：0/+3.3 V

　　低插入損耗： 0.68dB(8GHz時)

　　高隔離度： 50dB(8GHz時)

　　9KHz的低截止頻率

　　7.5微秒的快速建立時間(對于0.05 dB的最終RF輸出電平)

　　業界領先的高功率處理能力：

　　35.5 dBm的通過路徑

　　27 dBm端接路徑和熱切換應用

　　· 高線性度：

　　P1dB： +37 dBm(典型值)

　　IIP3： +61 dBm(典型值)

　　ESD額定值： 2-KV HBM

　　定價和供貨