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        12位高速ADC存儲電路設計與實現

        作者: 時間:2015-05-19 來源:網絡 收藏

          1 AD9225的結構

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/274417.htm

          AD9225是ADI公司生產的單片、單電源供電、12位精度、25Msps高速模數轉換器,片內集成高性能的采樣保持放大器和參考電壓源。AD9225采用帶有誤差校正邏輯的四級差分流水結構,以保證在25Msps采樣率下獲得精確的12位數據。除了最后一級,每一級都有一個低分辨率的閃速A/D與一個殘差放大器(MDAC)相連。此放大器用來放大重建DAC的輸出和下一級閃速A/D的輸入差,每一級的最后一位作為冗余位,以校驗數字誤差,其結構如圖1所示。

          

        AD9225結構圖

         

          圖1 AD9225結構圖

          2 AD9225的輸入和輸出

          (1) 時鐘輸入

          AD9225采用單一的時鐘信號來控制內部所有的轉換,A/D采樣是在時鐘的上升沿完成。在25Msps的轉換速率下,采樣時鐘的占空比應保持在45%~55%之間;隨著轉換速率的降低,占空比也可以隨之降低。在低電平期間,輸入SHA處于采樣狀態;高電平期間,輸入SHA處于保持狀態。圖2為其時序圖。圖2中:

          

        AD9225時序圖

         

          圖2 AD9225時序圖

          tch——高電平持續時間,最小值為18 ns;

          tcl——低電平持續時間,最小值為18 ns;

          tod——數據延遲時間,最小值為13 ns。

          從時序圖可以看出:轉換器每個時鐘周期(上升沿)捕獲一個采樣值,三個周期以后才可以輸出轉換結果。這是由于AD9225采用的四級流水結構,雖然可以獲得較高的分辨率,但卻是以犧牲流水延遲為代價的。

          (2) 模擬輸入AD9225的模擬輸入引腳是VINA、VINB,其絕對輸入電壓范圍由電源電壓決定:

          

        公式

         

          其中, AVSS正常情況下為0 V,AVDD正常情況下為+5 V。

          AD9225有高度靈活的輸入結構,可以方便地和單端或差分輸入信號進行連接。采用單端輸入時,VINA可通過直流或交流方式與輸入信號耦合,VINB要偏置到合適的電壓;采用差分輸入時,VINA和VINB要由輸入信號同時驅動。

          (3) 數字輸出

          AD9225 采用直接二進制碼輸出12位的轉換數據,并有一位溢出指示位(OTR),連同最高有效位可以用來確定數據是否溢出。圖3為溢出和正常狀態的邏輯判斷圖。

          

        溢出和正常狀態的邏輯判斷圖

         

          圖3 溢出和正常狀態的邏輯判斷圖

          3 AD9225參考電壓和量程的選用

          參考電壓VREF決定了AD9225的量程,即

          滿刻度量程= 2×VREF

          VREF的值由SENSE引腳確定。如果SENSE與AVSS 相連,VREF是2.0 V,量程是0~4 V;如果SENSE與VREF直接相連, VREF是1.0 V,量程是0~2 V;如果SENSE與VREF通過電阻網絡相連,則VREF可以是1.0~2.0 V之間的任意值,量程是0~2VREF;如果SENSE與AVDD 相連,表示禁用內部參考源,即VREF由外部參考電壓源驅動。內部電路用到的參考電壓是出現在CAPT和CAPB端。表1是參考電壓和輸入量程的總結。

          表1 參考電壓和輸入量程

          

        溢出和正常狀態的邏輯判斷圖

         

          4 AD9225的存儲方案設計

          在高速數據采集電路的實現中,有兩個關鍵的問題:一是模擬信號的高速轉換;二是變換后數據的存儲及提取。AD9225的采樣速度可達25Msps,完全可以滿足大多數數據采集系統的要求,故首要解決的關鍵問題是與存儲器的配合問題。 在數據采集電路中, 有以下幾種存儲方案可供選擇。

          (1)分時存儲方案

          分時存儲方案的原理是將高速采集到的數據進行分時處理, 通過高速鎖存器按時序地分配給N個存儲器。雖然電路中增加了SRAM的片數,但使存儲深度增加,用低價格的SRAM構成高速數據存儲電路,獲得較高的(單位速度×單位存儲深度)/價格比。但由于電路單數據口的特點,不利于數據的實時處理,并且為使數據被鎖存后留有足夠的時間讓存儲器完成數據的存儲,需要產生特殊的寫信號線 。

          (2)雙端口存儲方案

          雙端口存儲器的特點是,在同一個芯片里,同一個存儲單元具有相同的兩套尋址機構和輸入輸出機構,可以通過兩個端口對芯片中的任何一個地址作非同步的讀和寫操作,讀寫時間最快達到十幾ns。當兩個端口同時(5 ns以內 )對芯片中同一個存儲單元尋址時, 芯片中有一個協調電路將參與協調。雙端口存儲器方案適用于小存儲深度、數據實時處理的場合。由于雙端口存儲器本身具備了兩套尋址系統,在電路的設計時,可以免去在數據存儲和讀取時對地址時鐘信號的切換問題的考慮,使數據變得簡單和快捷。

          (3)先進先出存儲方案

          先進先出存儲器的同一個存儲單元配備有兩個口:一個是輸入口,只負責數據的寫入;另一個是輸出口,只負責數據的輸出。先進先出()存儲器方案適用于小存儲深度,數據需實時處理的場合。

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        關鍵詞: ADC FIFO

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