單片機的擴展RAM讀寫時序

　　摸索了好久，居然忘記了利用部門的示波器好好測測。書上看到的畢竟是理論的東西，實際應用中總會碰上意外的或者說是不可預測的情況，與其在那瞎推理，還不如動手做點實際的工作。

　　說實話，在所里這幾個月工作還沒有正式啟動，現在還處于所謂的知識儲備階段，所以也沒什么機會動動示波器。今天才注意到這家伙是GHz級別的，4通道，捕捉單片機那幾個小信號那叫游刃有余，爽哉爽哉，于是乎夢想著哪天自家工作臺上也能擺個這玩意～-～，話扯遠了，言歸正傳。

　　特權同學用的是11.0592MHz的STC89C52做測試，C代碼也很簡單：

　　#include

　　#define uchar unsigned char

　　#define uint unsigned int

　　uchar xdata LD _at_ 0x7fff;

　　void delay(uint cnt)

　　{

　　uint i;

　　for(i=0;i

　　}

　　void main(void)

　　{

　　uchar i;

　　delay(1000);

　　while(1)

　　{

　　LD = 0x00;

　　LD = 0xf0;

　　LD = 0x73;

　　// i = LD;

　　delay(1000);

　　LD = 0xff;

　　delay(1000);

　　}

　　}

　　LD就是擴展的外部RAM變量，地址是0x7fff，也就是說P2的最高位就是CS信號。示波器測試了P0口任意一個數據的變化、CS的變化、WRRD信號的變化。大體整理了一下，波形基本如下：

　　另外，我還注意到除了第一次LD讀操作需要5個指令周期外(1.085us*5)，以后每次LD讀操作都只要3個指令周期(1.085*3)。這也是從匯編的代碼里仿真后得出來的結論。而從上圖也可以知道CS有效時間其實是一個指令周期(1.085us)。平均3個指令周期完成一次數據傳輸(所謂的RAM方式讀寫數據)，這應該是單片機和外部通信的最快速度了。