德州儀器采用集成轉換開關與LDO簡化DDR內存電源設計

Micron公司計算與消費類電子產品集團的先進技術與戰略市場營銷執行總監 Terry Lee 說：“最終設備制造商腳踏實地地設計新型產品，既能支持內存密度更高的系統，同時又做到不會犧牲電池壽命。我們正與 TI 等少數幾家領先的半導體公司開展合作，他們能夠提供先進的電源管理模擬技術，其技術結合了適當的集成度、豐富的功能性與高性能，能夠快速適應新一代 DDR 內存系統不斷變化的電源要求?！?/P>

TI 的新型 TPS51116 集成了可驅動 VDDQ 的同步電流模式 DC/DC 控制器，還集成了一個可驅動 VTT 的 3-A 線性壓降 (LDO) 調節器，以及一個緩沖參照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 電源解決方案，與 DDR 與 DDR II JEDEC 規范完全兼容，通過包括用于轉換開關的電力系列，僅添加 7 個外部電阻與電容即可實現該解決方案，而目前的同類競爭系統則要采用 18 個乃至更多分離式電源管理組件。TPS51116 具有優秀的輕負載效率，在 10 ma 時可實現超過 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值電流，同時只需要 2x10