EVG集團(tuán)為工程襯底和電源器件生產(chǎn)應(yīng)用推出室溫共價(jià)鍵合技術(shù)

　　EVG集團(tuán)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)上領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商，今天宣布推出EVG®580 ComBond® - 一款高真空應(yīng)用的晶圓鍵合系統(tǒng)，使得室溫下的導(dǎo)電和無氧化共價(jià)鍵合成為可能。這一全新的系統(tǒng)以模塊化平臺(tái)為基礎(chǔ)，可以支持大批量制造(HVM)的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應(yīng)用的出現(xiàn)成為可能，包括：

　　· 多結(jié)太陽能電池

　　· 硅光子學(xué)

　　· 高真空MEMS封裝

　　· 電源器件

　　· 化合物半導(dǎo)體以及其他用于“后CMOS”應(yīng)用的先進(jìn)工程襯底，比如高電子遷移率晶體管、高性能/低功耗邏輯和射頻(RF)器件

　　多套 EVG580 ComBond 系統(tǒng)已經(jīng)成功付運(yùn)到器件廠商和研發(fā)中心那里。EVG公司奧地利圣弗洛里安總部將提供客戶展示服務(wù)。如需下載產(chǎn)品數(shù)據(jù)表，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)址： http://www.evgroup.com/118694/118810/142472/EVG580_ComBond_ShortBrochure.pdf

　　法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti硅技術(shù)部門副總裁Fabrice Geiger表示：“在最近的安裝和驗(yàn)收測(cè)試階段，我們?nèi)碌腅VG580 ComBond系統(tǒng)在室溫下展示了卓越的共價(jià)鍵合能力。CEA-Leti實(shí)驗(yàn)室正在尋求與EVG在公共實(shí)驗(yàn)室內(nèi)的合作，在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域內(nèi)部署EVG580 ComBond系統(tǒng)，推動(dòng)研發(fā)活動(dòng)的進(jìn)展。”

　　EVG集團(tuán)執(zhí)行技術(shù)總監(jiān)Paul Lindner 表示：“EVG580 ComBond系統(tǒng)掌握了室溫下無污染、無氧化鍵合所需要的關(guān)鍵表面預(yù)處理步驟。憑借這項(xiàng)突破性的技術(shù)，我們幾乎可以將任何材料鍵合在一起——開創(chuàng)出多種不同材料在晶圓形式下的組合。這不僅支持了我們客戶的研發(fā)力量，而且為大規(guī)模生產(chǎn)引入了全新的設(shè)備，使得各種快速發(fā)展的新興應(yīng)用成為可能 – 從下一代電信技術(shù)硅光子學(xué)的發(fā)展到更為先進(jìn)的電源器件(在兩次充電之間，可以使得電動(dòng)車行駛更遠(yuǎn)的距離)，等等。(這使得我們的客戶新器件從研發(fā)階段到大批量生產(chǎn)成為了可能，新器件指的是各種新興的、快速發(fā)展的應(yīng)用——從下一代電信技術(shù)硅光子學(xué)的發(fā)展到更為先進(jìn)的電源器件，更先進(jìn)的電源器件可以使電動(dòng)汽車在充電間隔間跑的更遠(yuǎn)。)”

　　化合物半導(dǎo)體和鍵合的挑戰(zhàn)

　　將不同性能的材料鍵合在一起，用以生產(chǎn)電子器件，例如硅襯底同氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等III-V化合物半導(dǎo)體材料的融合，可以產(chǎn)生更高的載流子遷移率進(jìn)而提高器件性能，并且開拓出全新的功能，比如支持光纖互連和路由器功能的晶硅透光發(fā)射技術(shù)。然而，通過傳統(tǒng)的外延生長(zhǎng)工藝融合這些材料時(shí)，由于晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)之間的差異，將會(huì)導(dǎo)致晶體的位錯(cuò)缺陷，反而會(huì)降低性能。

　　EVG集團(tuán)推出室溫共價(jià)鍵合機(jī)

　　晶圓鍵合的優(yōu)勢(shì)

　　在優(yōu)化后的生長(zhǎng)襯底上讓各個(gè)半導(dǎo)體材料單獨(dú)生長(zhǎng)，之后再通過晶圓鍵合將他們?nèi)诤显谝黄穑梢詼p緩這些制造問題。值得一提的是，室溫共價(jià)鍵合，將是一種理想的選擇，因?yàn)檫@一工藝無需退火處理，退火過程產(chǎn)生的高溫將增加熱膨脹系數(shù)差異引發(fā)的額外應(yīng)力。但是，室溫共價(jià)鍵合的一個(gè)關(guān)鍵局限因素在于這一工藝無法保持對(duì)接合界面層厚度和均勻性的嚴(yán)格限制，包括有效去除顆粒污染物和原生氧化層(為了鍵合材料之間的鍵合界面同時(shí)保有足夠的鍵合強(qiáng)度和導(dǎo)電性，這一點(diǎn)至關(guān)重要)。EVG580 ComBond系統(tǒng)則克服了限制因素。

　　EVG580 ComBond系統(tǒng)主要特色

　　· 專用的 ComBond激活模塊(CAM)無縫集成到這一平臺(tái)中，不同于濕法化學(xué)蝕刻工藝，它通過引導(dǎo)帶電粒子附著在襯底表面之上，提供先進(jìn)的表面處理工藝，從而實(shí)現(xiàn)無污染、無氧化的鍵合界面

　　· 可在高真空工藝環(huán)境運(yùn)行，從而防止加工后的晶片在進(jìn)入融合階段之間出現(xiàn)再氧化。

　　· 最多可配置5個(gè)并行鍵合腔，同時(shí)滿足研發(fā)和HVM 應(yīng)用需求

　　· 加工的晶圓尺寸可達(dá)8英寸(200毫米)