CMOS 放大器的新時代

　　十多年前，半導體設計與應用工程師在有了可行 CMOS 硅芯片時高興得相互擊掌慶祝，因為它可在 80% 的良率下實現 100uV 以下的放大器輸入失調電壓。當時，Allen Bradley、John Deere、Rockwell Automation 以及 Siemens 等工業領域巨頭都考慮將 CMOS 放大器作為較低成本的平臺，但它們很少將其用于實現高性能。

　　盡管雙極性技術依然盛行，但新型 CMOS 放大器正在以先進的設計技巧、高級的微調方法以及提高的良率逐漸打破工藝局限性。

　　以往，雙極性器件在需要高精度的應用領域一直處于工程師的“首選”項。這些器件可實現低于 1uV/ºC 的失調漂移，而 CMOS 的輸入級則提供高達 5uV/ºC 的失調漂移。

　　在 CMOS 輸入運算放大器中實現極低失調的挑戰在于閥值電壓之間的差異(輸入差分對)以及柵-源電壓與閥值電壓之間的差異 (VGS-VTH)。與雙極性器件不同，無論在弱反相情況下還是在強反相情況下，失調和失調漂移在 CMOS 器件中都沒有關聯性。

　　CMOS 放大器設計中的其它挑戰還包括較高的電壓噪聲閃爍與白噪聲以及一個通常低很多的開環增益(這是比雙極性輸入低的跨導值)。

　　應對以上挑戰的一個途徑就是使用自動歸零、限幅或二者相結合的方法，其可顯著減少失調和漂移(在 CMOS 中)，但會增加電路復雜性。限幅自穩放大器可在更大溫度范圍內提供最低漂移，但其內部結構可對其使用帶來一定限制。

　　另一種方法是選擇一款經過精確微調的器件。如欲進一步了解這種良好微調運算放大器的效果，敬請查看最新發布的 OPA192。該器件是 CMOS 放大器設計中名副其實的里程碑成果，能夠與現已提供的最佳雙極性及 JFET 技術相媲美。

　　因此，下次您在購買真正高精度運算放大器時，如果您的系統需要低電壓工作，可以考慮選擇 OPA376 或支持較高電壓的 OPA192。