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        新型“高性能DFB半導體激光器”研發成功

        作者: 時間:2014-09-03 來源:福建物質結構研究所 收藏

          近日,福建省科技廳組織專家組對中國科學院福建物質結構研究所蘇輝研究員主持的福建省科技重大專項專題“光通信的高性能和探測器的研發與產業化”進行驗收。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/262568.htm

          該項目研制出滿足光通信需求的高性能和PIN-TIA探測器,突破了和探測器芯片設計、外延生長、加工以及鍍膜等關鍵技術,搭建了完整的半導體激光器與探測器芯片生產線及測試平臺,并形成了月產20萬顆芯片的生產能力。

          項目研制的高性能半導體激光器,在–40℃到85℃的工作范圍內、無冷卻情況下,保持邊模抑制比大于35dB,閾值小于20mA,斜率效率大于0.35mW/mA,3dB的帶寬大于5GHz。研制的PIN-TIA探測器,實現在–40℃到+85℃工作范圍內,可探測的波長范圍在1100~1600nm,保持暗電流約5nA;在兩個典型工作窗口1310nm和1550nm,保持響應度大于0.9A/W,器件的3dB帶寬大于3GHz。

          項目執行期內,共申請發明專利2件,授權實用新型專利1件,發表論文4篇;并實現了批量銷售,獲得千萬元以上的銷售訂單。

          該項目從源頭上突破了“光芯片”制備的核心技術,生產的“光芯片”產品填補我國三網融合中核心器件產業空白,成功打破國外的技術和產品壟斷,改變了我國此類產品依賴進口的局面,解決了我國光纖入戶“最后一公里”技術瓶頸,已與國內多家光通信下游企業形成戰略合作伙伴關系,推動了我國電子信息產業快速發展。同時,創新“人才團隊+項目+成果”成果轉化模式,組建了中科光芯光電科技有限公司,促進科技與經濟緊密結合,為科技成果轉化為現實生產力提供借鑒和參考。

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        關鍵詞: DFB 半導體激光器

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