冷靜對(duì)待GaN工藝技術(shù)，無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用須謹(jǐn)慎

ABI研究公司一位研究人員表示，對(duì)于那些通過(guò)氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)并生產(chǎn)設(shè)備的廠商來(lái)說(shuō)，無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域所需的RF功率半導(dǎo)體可能并不是他們最好的機(jī)會(huì)。

除了一些軍事應(yīng)用和微波通信，GaN主要用于移動(dòng)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson卻表示，這個(gè)對(duì)價(jià)格極度敏感的領(lǐng)域，可能并不適合GaN。

Wilson表示：“與傳統(tǒng)放大器電路里的Si LDMOS相比，GaN雖然是新技術(shù)，設(shè)備成本卻是其最大的致命傷。”雖然GaN的價(jià)格可能會(huì)慢慢下降，并最終克服這一問(wèn)題，但是卻永遠(yuǎn)無(wú)法與Si LDMOS的價(jià)格相抗衡，因?yàn)樗鼜谋举|(zhì)上就是比Si LDMOS要貴。

Wilson指出：“盡管GaN可能會(huì)實(shí)現(xiàn)超級(jí)性能，但這也不能為之增添多少砝碼。在移動(dòng)無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，GaN和Si LDMOS在價(jià)格和性能上始終都是勢(shì)均力敵。GaN可能在今后幾年會(huì)在移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施所需的RF功率放大器的市場(chǎng)上攻下一些地盤(pán)，但絕不可能只手遮天。”而且，在GaN市場(chǎng)上湊熱鬧的人太多了，將來(lái)至少會(huì)有一半的人知難而退，或者忍痛割愛(ài)。

但是，Wilson也強(qiáng)調(diào)說(shuō)，GaN前景依然讓人看好。在4 GHz以上的頻率，Si LDMOS的性能無(wú)法觸及，因此GaN將幾乎統(tǒng)治所有高功率市場(chǎng)。

他說(shuō)，Eudyna Devices和東芝就非常聰明地將其GaN產(chǎn)品的目標(biāo)對(duì)準(zhǔn)4 GHz以上的微波市場(chǎng)，這將給其帶來(lái)相當(dāng)大的收益。