冷靜對待GaN工藝技術，無線基礎設施應用須謹慎

ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過氮化鎵(GaN)工藝技術來開發并生產設備的廠商來說，無線基礎設施領域所需的RF功率半導體可能并不是他們最好的機會。

除了一些軍事應用和微波通信，GaN主要用于移動無線基礎設施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson卻表示，這個對價格極度敏感的領域，可能并不適合GaN。

Wilson表示：“與傳統放大器電路里的Si LDMOS相比，GaN雖然是新技術，設備成本卻是其最大的致命傷。”雖然GaN的價格可能會慢慢下降，并最終克服這一問題，但是卻永遠無法與Si LDMOS的價格相抗衡，因為它從本質上就是比Si LDMOS要貴。

Wilson指出：“盡管GaN可能會實現超級性能，但這也不能為之增添多少砝碼。在移動無線基礎設施領域，GaN和Si LDMOS在價格和性能上始終都是勢均力敵。GaN可能在今后幾年會在移動基礎設施所需的RF功率放大器的市場上攻下一些地盤，但絕不可能只手遮天。”而且，在GaN市場上湊熱鬧的人太多了，將來至少會有一半的人知難而退，或者忍痛割愛。

但是，Wilson也強調說，GaN前景依然讓人看好。在4 GHz以上的頻率，Si LDMOS的性能無法觸及，因此GaN將幾乎統治所有高功率市場。

他說，Eudyna Devices和東芝就非常聰明地將其GaN產品的目標對準4 GHz以上的微波市場，這將給其帶來相當大的收益。