瑞薩科技發布HAT1125H P溝道功率MOSFET

今天瑞薩科技公司發布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導通電阻，用于筆記本電腦和類似產品中的電源管理開關和鋰離子電池充電/放電控制。2004年6月8日，將在日本開始樣品發貨。

與瑞薩科技先前的產品相比，HAT1125H的導通電阻大約減小了25%，是業界導通電阻最低的工業標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產品。由于其損耗很低，將有助于設計小型、節省空間的系統。