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        抑制同步開關噪聲的超帶寬電磁帶隙結構的研究

        作者: 時間:2014-04-21 來源:網絡 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/259489.htm

        2 BS 的仿真特性分析

        為了驗證新型BS 結構單元的有效性,設計一個3×3單元陣列的雙層PCB板。如圖2所示,PCB板尺寸為90 mm×90 mm×0.4 mm,介質層厚度為0.4 mm,介質材料為FR4,地平面保持連續完整。為了測試3×3單元陣列對SSN 的抑制特性,如圖2(a)所示,在位于坐標(45 mm,45 mm),(75 mm,45 mm),(75 mm,75 mm)的三點處,分別加載3個測試端口,坐標原點如圖2(b)所示。

        新型BS 電源平面和Z-bridged 電源平面在0~20 GHz 之間進行仿真對比,使用的工具是ANSOFT公司的HFSS 軟件。帶寬定義為S21 參數的插入損耗小于-30 dB 的范圍。如圖3(a),(b)所示,新型BSEBG 電源平面的S21 帶寬范圍從220 MHz~20 GHz(19.8 GHz帶寬),而Z-bridged EBG 結構的仿真S21 的范圍從330 MHz~6.55 GHz(6.22 GHz帶寬)。從圖3(c)可以看出,BS EBG 結構的仿真數據和實測數據具有良好的一致性。與Z-bridged EBG結構相比較,新型BS EBG的帶寬增加了218.3%,相對帶寬增加了約15%,下限截止頻率降低了110 MHz,幾乎覆蓋了SSN的全部頻帶。

        由圖3(d)可以看出,BS EBG的S21 和S31 曲線基本一致。因此,本文的BS-EBG結構可以全方位消除電源平面上的SSN.

        3 結論

        本文提出了一種抑制的新型BS EBG.當帶寬被定義為-30 dB以下時,新型BS EBG 結構的帶隙范圍為220 MHz~20 GHz.相比于傳統的Z-bridged EBG電源平面,BS EBG電源平面的相對帶寬增加了約15%,下限截止頻率降低了110 MHz,對于具有良好的抑制效果。


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