GaN器件和AMO技術推動實現高效率和寬帶寬

AMO解決方案的物理特性有利于在高效率下實現高帶寬調制，但它是以在此AMO實施核心的非傳統DPD方案為代價來實現的。雖然DPD架構是非傳統的，但所需要 的計算資源與傳統DPD的并無不同。因此，它沒有產生與增加了的數字復雜性相關的隱藏功率成本，所以不會損害總體效率的增益。總之，AMO允許權衡解決移 相和包絡跟蹤行為的限制，從而實現了在每個方面都具有最佳特性的系統。

圖3: 10 W Class E 1.95 GHz測試電路原理圖。(注2)。

圖4: Class E GaN放大器照片。

GaN器件和PA設計

核心開關模式(switch-mode) PA的效率決定了移相、ET和AMO等技術的最大系統效率。對于現有的無線通訊放大器， 大多數最高效率的生產器件都采用GaN工藝來生產。例如，在麻省理工學院(MIT) (注2)開發的原型中使用的GaN HEMT器件(注1)?，它們在最大飽和輸出功率上規定了65% (3.6 GHz) 和 > 70% (2 GHz) 的典型效率。圖3所示為PA電路圖，而圖4是已組裝的放大器照片。對于AMO應用，PA經設計在整個由階梯式開關電源調制器提供的漏極電壓范圍具有良好的性能。

整體性能

一個完整的傳送器(參見圖5)包含了幾種附加的系統成分。基帶I和Q信號被傳送至采用FPGA實現的數字預失真(DPD)和調制信號處理器中。 在此系統中，DPD通過查找表來實現，該表是以PA上傳送器在不同組合DC電平所測出的靜態非線性特性來建立的。移相信道相位調制數據被傳送到兩個PA的 數模轉換器和相位調制器。振幅調制數據，以及粗略的延遲校正則驅動電源調制器電路。RF前置放大器提供了必需的驅動電平，而在輸出端，組合器將PA輸出匯 總到一個RF輸出中。

圖5: 測試傳送器方框圖。