- 當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。GaN 可實現高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。您可以使用650V GaN FET進行AC/DC至 DC/DC 轉換，或使用 100V 或 200V GaN FET 進行 DC/DC 轉換以實現電源供應。如果您從事尖端產品的研發，為了簡化采購團隊的供應鏈，選擇采用業界通用封裝的器件也
- 關鍵字：
GaN器件 電源設計 德州儀器
- _____近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。此前，遠山半導體憑借其在高壓GaN器件領域的持續創新，已成功推出多款產品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠山半導體采用了獨具匠心的極化超級結（PSJ）技術，并對生產工藝進行了深度優化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至17
- 關鍵字：
泰克 遠山半導體 GaN器件
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來，在服務器系統等領域，由于IoT設備的需求日益增長，電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題，而這就要求功率元器件的不斷優化。另外，不僅在自動駕駛領域，在工業設備和社會基礎設施監控等領域應用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。在這類應用中，必須使用高速開關器件，因此，ROHM在推出支持高速開關的GaN器件的同時，還
- 關鍵字：
ROHM GaN器件 高速柵極驅動器IC
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程
- 關鍵字：
ROHM GaN器件 超高速驅動控制
- 1? ?羅姆看好哪類GaN功率器件的市場機會？GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）一樣，是一種在功率器件中存在巨大潛力的材料。GaN 器件作為高頻工作出色的器件，在中等耐壓范圍的應用中備受期待。特別是與SiC 相比，高速開關特性出色，因而在基站和數據中心等領域中，作為有助于降低各種開關電源的功耗并實現小型化的器件被寄予厚望（如圖1、圖2）。GaN 器件有望在中等耐壓范圍內實現出色的高頻工作性能。具體在汽車行業可應用于車載OBC、48 VDC/DC 轉換器（如圖3）。2? &nb
- 關鍵字：
202201 GaN器件 羅姆
- 市場研究公司ABI Research發布了關于大功率射頻有源器件市場的研究。研究顯示，隨著4～18GHz氮化鎵(GaN)器件的普遍應用，在微波射頻功率半導體器件方面的開銷將持續增長。ABI Research預計，微波射頻半導體市場規模有望在2019年之前超過3億美元。點到點通信、衛星通信、各種雷達和新型工業/醫療應用都將從這些大功率GaN器件的應用中獲益。
“當砷化鎵(GaAs)器件目前成為微波射頻功率領域的主流的時候，GaN器件將促進增長?！盇BI研究公司市場調研總監L
- 關鍵字：
微波射頻 GaN器件
- 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之一，并在射頻領域中受寵，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出針對這些市場的GaN產品。另外包括IR、ST、富士通、松下，以及新晉的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市場。
- 關鍵字：
硅功率MOSFET GaN器件
gan器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條gan器件!
歡迎您創建該詞條，闡述對gan器件的理解，并與今后在此搜索gan器件的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
