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        SAW、BAW和無線的未來

        作者: 時間:2014-06-09 來源:網絡 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/259427.htm

        雖然和FBAR的制造成本更高,其性能優勢非常適合極具挑戰性的LTE頻帶以及PCS頻帶,后者的發送和接收路徑間只有20MHz的狹 窄過渡范圍。 和FBAR的IDT可做得足夠大,以支持4W@2GHz的更高射頻功率。器件對靜電放電有固有的高阻抗,其BAW-SMR變體具有約 -17ppm/℃ @2GHz的TCF 。

        隨著頻譜擁擠導致縮窄甚至舍棄保護頻帶的趨勢,對于高性能的需求顯著增加。 BAW技術使人們有可能設計出具有非常陡峭濾波器裙邊、高抑制性能以及溫漂很小的窄帶濾波器,它非常適合處理相鄰頻段之間非常棘手的干擾抑制問題。 TriQuint及其它濾波器制造商的工程師正在努力實現4%或更高帶寬、損耗更低、TCF基本為零的BAW-SMR濾波器。

        BAW 器件所需的制造工藝步驟是的10倍,但因它們是在更大晶圓上制造的,每片晶圓產出的BAW器件也多了約4倍。即便如此,BAW的成本仍高于。 然而,對一些分配在2GHz以上極具挑戰性的頻段來說,BAW是唯一可用方案。因此,BAW濾波器在3G/4G智能手機內所占的份額在迅速增長。

        我 們TriQuint的設計團隊專注于優化BAW和 BAW-SMR架構,而非FBAR架構 。在BAW-SMR濾波器底部電極下方使用的聲反射器使其在FBAR面臨挑戰的頻段擁有優化的帶寬性能。反射器使用的二氧化硅還顯著減少了BAW的整體溫 漂,該指標遠好于BAW甚至FBAR所能達到的水平。由于諧振器位于結實的材料塊上,其散熱比FBAR好得多,后者采用一個膜,僅能通過邊緣散熱。這使得 BAW器件可實現更高的功率密度,不久就會有可用于小蜂窩基站應用10W級器件的問世。

        總結

        未來幾年,、TC-SAW和BAW濾波器及的各種選擇將成為各類設備更重要的組成部分。隨著各類發射器的增加、更高頻率內更多頻段的分配、加之全球頻譜管理依然各自為政,抑制將變得越來越具有挑戰性。

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