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        萊姆采用ASIC技術的新一代電流傳感器

        作者: 時間:2009-02-22 來源:網絡 收藏

        電力電子行業的市場發展趨勢對應用特殊元部件提出了要求。對于也是如此。從基本上來說,若要獲得一定的測量精度,就要求元部件具有相對應的尺寸以及投入相應的成本。本文介紹了一款新一代,該傳感器主要通過一種特別開發的ASIC技術來實現基于性能改善。

          目前在市場上我們可以采購到很多霍爾-ASIC傳感器,我們可以用這些傳感器來測量位置、磁場以及電流。所有這些ASIC傳感器大多用于進行精確快速的,比如電力電子行業,對于電磁干擾具有高抗干擾性的優點。 這一基礎已經使得新集成元件得到了開發,這些元件特別適合這些需求(圖1)。該新型集成元部件基于CMOS技術,將結構的所有元件綜合在了一個單片上?;魻栮嚵凶鳛闇y量元件,后面跟著放大級以及擴展編程單元和一個穩定的帶隙基準電壓。

        該元部件具有以下特點:

        5V 電源
        從0.5到4毫伏/高斯的大測量范圍
        可以對偏差和增益進行編程(比例或固定)
        基準輸入/輸出
        可編程溫度補償
        接線管腳具有短路和靜電放電(ESD)保護
        溫度范圍從 -40°C到+ 125°C。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/259242.htm

        基準電壓作為測量的零點可以在生產過程中進行編程??梢蕴峁┮话氲墓╇婋妷夯蚬潭ǖ?.5V電壓。外部管腳上也可以提供基準電壓。例如,該基準電壓隨時都可以通過一個來自A/D轉換器的當前外部基準電壓經一個200Ω的內部載荷阻抗進行作用。

          參數

          與傳統霍爾元件相比,瞬態電流的速度幾乎沒有變化。具有100A/*s電流變化率(di/dt)的瞬態電流后的延遲時間大約為4µs,如圖2所示。對于電流電路短路切斷和調節來說,這個延遲時間該足夠。有點長些的延遲時間可以通過霍爾芯片的斬波技術來進行說明,該技術用于改善漂移參數。

        對于在高EMC環境所使用的傳感器來說,其中一個關鍵參數是在電壓跳變(共模)之后的性能。圖3記錄了6 KV/*s電流變化率(dV/dt)的情況,同時給出了當輸出為大約20mV時跳過一個偏差之后的狀態,這一結果與3%標稱值的漂移相一致。性能是平衡的,因此在不產生偏差的情況下可以對其進行外部或內部過濾。


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