基于TSC控制技術的可控硅開關分析 作者： 時間：2013-10-09 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 在確定了可控硅的型號后，在電路中串聯不同大小的電抗，觀察消弧線圈投切電容器時整個電路的電壓波形。 經實驗比較后發現，當串聯電抗器的感抗值占同組電容器的容抗值約6％時電壓波形效果較好，感抗過大或過小得到的電壓波形效果較差。 另外，串聯電阻可解決投切電容器時電壓波形的畸變問題，但在實際應用中電阻存在較大的發熱和功率損耗問題，故串聯電阻方案不可行。 由本實驗可總結出，空心電感的存在能有效解決問題，因為電感具有抑制電流突變的特點，實驗也證實了這一點。 電抗器相關文章:電抗器原理 上一頁 1 2 3 下一頁
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