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        基于TSC控制技術的可控硅開關分析

        作者: 時間:2013-10-09 來源:網絡 收藏

        2.2 的選擇
        關于串聯的選擇,GB 50227—1995《并列電容器裝置設計規范》規定中第5.5.2.2條“用于抑制諧波,當并列電容器裝置接入電網處的背景諧波為5次及以上時,宜取4.4%~6%”,當并列電容器裝置接入電網處的背景諧波為3次及以上時,宜取12%。
        綜上可知的電抗率k為
        wL=k/wC (2)

        k=w2LC (3)

        3 實驗分析
        從圖2可以看出,二次側額定電壓為220 V。一般情況下,不僅是可控硅,包括所有的高壓設備,在選型時都需留有一定的裕度,應至少取峰值的3倍。因此可得出應選的額定電壓為220××3≈1 000 V。文中在此選擇額定電壓為1 600 V的可控硅。

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