基于TSC控制技術(shù)的可控硅開(kāi)關(guān)分析
作者：
時(shí)間：2013-10-09
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢(xún)
2．2 電抗器的選擇
關(guān)于串聯(lián)電抗器的選擇，GB 50227—1995《并列電容器裝置設(shè)計(jì)規(guī)范》規(guī)定中第5．5．2．2條“用于抑制諧波，當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為5次及以上時(shí)，宜取4．4％～6％”，當(dāng)并列電容器裝置接入電網(wǎng)處的背景諧波為3次及以上時(shí)，宜取12％。
綜上可知電抗器的電抗率k為
wL=k／wC (2)
即
k=w2LC (3)
3 實(shí)驗(yàn)分析
從圖2可以看出，消弧線圈二次側(cè)額定電壓為220 V。一般情況下，不僅是可控硅，包括所有的高壓設(shè)備，在選型時(shí)都需留有一定的裕度，應(yīng)至少取峰值的3倍。因此可得出應(yīng)選晶閘管的額定電壓為220××3≈1 000 V。文中在此選擇額定電壓為1 600 V的可控硅。
電抗器相關(guān)文章:電抗器原理
評(píng)論